தொழில் செய்திகள்

உயர்-தூய்மை கிராஃபைட், CVD SiC/TaC பூசப்பட்ட கூறுகள், திடமான SiC பாகங்கள் மற்றும் தனிப்பயன் குறைக்கடத்தி தீர்வுகளுக்கான VeTek செமிகண்டக்டரின் CNC துல்லிய இயந்திர திறன்களைக் கண்டறியவும்.

SiC-கோடட் கிராஃபைட் வேஃபர் கேரியர்கள், GaN மற்றும் LED எபிடாக்ஸிக்கான MOCVD அமைப்புகளில் முக்கியமான வெப்ப மற்றும் இயந்திர கூறுகளாகும். கேரியர் வடிவியல், பாக்கெட் ஆழம், தட்டையான தன்மை, கிராஃபைட் பண்புகள் மற்றும் CVD SiC பூச்சு நிலை ஆகியவை செதில் வெப்பநிலை விநியோகம், எபிடாக்சியல் சீரான தன்மை மற்றும் செயல்முறை மீண்டும் மீண்டும் எவ்வாறு பாதிக்கப்படுகின்றன என்பதை இந்த தொழில்நுட்ப கட்டுரை விளக்குகிறது. இது வெப்ப சீரான தன்மை மற்றும் சாதன விளைச்சல், பொதுவான பூச்சு சிதைவு வழிமுறைகள், சேவை-வாழ்க்கை பரிசீலனைகள் மற்றும் தனிப்பயன் அல்லது மாற்று MOCVD செதில் கேரியரைக் குறிப்பிடும்போது தேவைப்படும் பொறியியல் தரவு ஆகியவற்றுக்கு இடையேயான உறவையும் ஆராய்கிறது.

SiC-பூசப்பட்ட கிராஃபைட் உயர் தூய்மை கிராஃபைட்டின் இயந்திரத்திறன் மற்றும் வெப்ப நடத்தையை வேதியியல் ரீதியாக நிலையான CVD சிலிக்கான் கார்பைடு செயல்முறை மேற்பரப்புடன் ஒருங்கிணைக்கிறது. வெற்று கிராஃபைட் இரசாயன தொடர்பு, அசுத்தங்கள் மற்றும் எபிடாக்ஸி உலைகளில் உள்ள துகள்கள், CVD SiC எவ்வாறு மிகவும் நிலையான செயல்முறை எல்லையை உருவாக்குகிறது மற்றும் ஏன் பூச்சு ஒருமைப்பாடு, அடி மூலக்கூறு இணக்கத்தன்மை, வடிவியல் மற்றும் வெப்ப நடத்தை ஆகியவை ஒன்றாக வடிவமைக்கப்பட வேண்டும் என்பதை இந்த தொழில்நுட்ப வெள்ளை அறிக்கை விளக்குகிறது. இது சிலிக்கான் மற்றும் SiC எபிடாக்சியின் பல்வேறு கோரிக்கைகளை ஆராய்கிறது மற்றும் செமிகண்டக்டர் பயன்பாடுகளுக்கு பூசப்பட்ட சஸ்செப்டர்கள் எவ்வாறு குறிப்பிடப்பட வேண்டும் என்பதைக் கோடிட்டுக் காட்டுகிறது.

ஒரு SiC-பூசப்பட்ட கிராஃபைட் சஸ்பெப்டர் என்பது செமிகண்டக்டர் எபிடாக்சியில் ஒரு முக்கியமான வெப்ப-புல கூறு ஆகும், மாறாக ஒரு செதில் வைத்திருப்பவர். இந்த தொழில்நுட்பக் கட்டுரையானது, சஸ்பெப்டர் வடிவியல், தட்டையான தன்மை, பாக்கெட் வடிவமைப்பு, கிராஃபைட் பண்புகள் மற்றும் CVD SiC பூச்சுத் தரம் ஆகியவை எவ்வாறு செதில் வெப்ப எல்லைகள், வெப்பநிலை விநியோகம் மற்றும் எபிடாக்சியல் சீரான தன்மை ஆகியவற்றில் செல்வாக்கு செலுத்த ஒன்றாகச் செயல்படுகின்றன என்பதை விளக்குகிறது. இது பொதுவான சஸ்செப்டர் தோல்வி முறைகள், பூச்சு சிதைவு, துகள் அபாயங்கள் மற்றும் தனிப்பயன் அல்லது மாற்று எபிடாக்ஸி சஸ்பெக்டரைக் குறிப்பிடும்போது தேவைப்படும் முக்கிய பொறியியல் அளவுருக்கள் ஆகியவற்றையும் ஆராய்கிறது.

CVD சிலிக்கான் கார்பைடு பூச்சு கட்டுப்படுத்தப்பட்ட வாயு-கட்டம் மற்றும் மேற்பரப்பு எதிர்வினைகள் மூலம் உயர்-தூய்மை கிராஃபைட்டில் அடர்த்தியான SiC அடுக்கை வைப்பதன் மூலம் தயாரிக்கப்படுகிறது. இந்த கட்டுரை அடி மூலக்கூறு தயாரிப்பு, MTS அடிப்படையிலான CVD வளர்ச்சி, அணுக்கரு மற்றும் வெகுஜன பரிமாற்றம், பூச்சு தடிமன் மற்றும் சீரான தன்மை, SiC/கிராஃபைட் இடைமுக அழுத்தம், பொதுவான குறைபாடுகள் மற்றும் குறைக்கடத்தி தர ஆய்வு ஆகியவற்றை விளக்குகிறது. எபிடாக்ஸி மற்றும் எம்ஓசிவிடியில் பயன்படுத்தப்படும் சஸ்செப்டர்கள் மற்றும் வேஃபர் கேரியர்களுக்கு செயல்முறை அளவுருக்கள் மற்றும் கூறு வடிவியல் ஏன் ஒன்றாக வடிவமைக்கப்பட வேண்டும் என்பதையும் இது காட்டுகிறது.

சிலிக்கான் கார்பைடு பூச்சு என்பது செமிகண்டக்டர் செயலாக்கத்தில் பயன்படுத்தப்படும் உயர் தூய்மை கிராஃபைட் கூறுகளுக்கு பயன்படுத்தப்படும் அடர்த்தியான CVD SiC அடுக்கு ஆகும். கிராஃபைட் ஏன் SiC உடன் பூசப்பட்டது, CVD SiC எவ்வாறு உருவாகிறது, எந்த பூச்சு பண்புகள் மற்றும் இடைமுகக் காரணிகள் செயல்திறனைக் கட்டுப்படுத்துகின்றன மற்றும் SiC- பூசப்பட்ட கிராஃபைட் சிலிக்கான் எபிடாக்ஸி, SiC எபிடாக்ஸி மற்றும் MOCVD ஆகியவற்றை எவ்வாறு ஆதரிக்கிறது என்பதை இந்தக் கட்டுரை விளக்குகிறது. இது பூச்சு தடிமன், CTE பொருத்தமின்மை, டிலாமினேஷன் அபாயம் மற்றும் சஸ்செப்டர்கள், வேஃபர் கேரியர்கள் மற்றும் பிற பூசப்பட்ட கூறுகளைக் குறிப்பிடும் போது தேவைப்படும் பொறியியல் தகவல்களையும் ஆராய்கிறது.

CVD SiC மற்றும் TaC பூச்சுகள் வெப்ப நிலைத்தன்மை, மாசுபடுதல், துகள்கள் மற்றும் செமிகண்டக்டர் எபிடாக்சியில் மீண்டும் மீண்டும் செயல்படும் தன்மையை எவ்வாறு பாதிக்கின்றன, அளவுரு அட்டவணைகள், பூச்சு-தேர்வு முடிவு மரம், தோல்வி வழிமுறைகள் மற்றும் RFQ அளவுகோல்களுடன் தொழில்நுட்ப வெள்ளை அறிக்கை.

8-inch SiC இப்போது தொகுதி உற்பத்தியில் உள்ளது, ஆனால் செதில் விளைச்சல் - திறன் அல்ல - வெற்றியாளர்களைப் பிரிக்கிறது. கிராஃபைட் ஹாட்-ஜோன் பாகங்களில் TaC பூச்சு ஏன் விளைச்சலைத் தீர்மானிக்கிறது மற்றும் ஒரு சப்ளையரை எவ்வாறு தகுதி பெறுவது என்பதை இந்த வழிகாட்டி விளக்குகிறது.

நவீன சிப் தயாரிப்பில், அடி மூலக்கூறு உடல் ஆதரவு மற்றும் வெப்பச் சிதறல் பாதையை வழங்குகிறது, அதே நேரத்தில் எபிடாக்சியல் அடுக்கு சாதனத்தின் மின் செயல்திறன் வரம்புகளை தீர்மானிக்கிறது. இந்தக் கட்டுரை ஒற்றை-படிக சிலிக்கான் மற்றும் சிலிக்கான் கார்பைடு அடி மூலக்கூறுகள் மற்றும் CVD/MBE எபிடாக்சியல் செயல்முறைகளுக்கு இடையே உள்ள அடிப்படை வேறுபாடுகளின் ஆழமான பகுப்பாய்வை வழங்குகிறது. நீங்கள் ஒரு செயல்முறைப் பொறியியலாளராக இருந்தாலும் அல்லது கொள்முதல் முடிவெடுப்பவராக இருந்தாலும், மிகவும் பொருத்தமான செதில் தேர்வு உத்தியை விரைவாகக் கண்டறிய இந்த வழிகாட்டி உங்களுக்கு உதவும்.

MOCVD எபிடாக்ஸி கிராஃபைட் சஸ்செப்டர்களில் சிலிக்கான் கார்பைடு பூச்சுகளின் விளிம்பு மஞ்சள் மற்றும் உரிக்கப்படுவதற்கான காரணங்கள் பற்றிய ஆழமான பகுப்பாய்வு. ஆரம்ப சிவிடி படிவு வீதம் மற்றும் ஓட்டப் புலத்தை துல்லியமாக கட்டுப்படுத்தி, பூச்சு விளைச்சலை 50% முதல் 90% வரை அதிகரிப்பதன் மூலம் மற்றும் உயர்-தூய்மை கிராஃபைட் பாகங்களின் சேவை வாழ்க்கையை நீட்டிப்பதன் மூலம் VeTek நுண்ணிய அழுத்தத்தை நீக்கியது.

மல்டி-பாக்கெட் சிலிக்கான் எபிடாக்சி கிராஃபைட் சஸ்செப்டர்களில் 1.4% பாக்கெட்-டு-பாக்கெட் தடிமன் மாறுபாட்டை நிவர்த்தி செய்து, VeTek Semi susceptor flatness ஐ <0.08mmக்கு மேம்படுத்தியது மற்றும் CVD ஃப்ளோ ஃபீல்ட் சிமுலேஷன் மற்றும் அதி-துல்லியமான விளைச்சல் மூலம் 0.69% மாறுபாட்டைக் குறைத்தது.

பெரிய அளவிலான MOCVD SiC-கோடட் கிராஃபைட் சஸ்பெக்டர்களில் உள்ள ரேடியல் கிராக்கிங்கை Vetek எப்படி நீக்கியது என்பதை அறிக. கட்டமைப்பு அழுத்த இடையக மறுவடிவமைப்பு & CTE பொருத்தம் சேவை வாழ்க்கையை 300%+ அதிகரித்துள்ளது.

SiC பரிணாம வளர்ச்சியின் ஒரு தசாப்தம் - ஆரம்பகால 4-அங்குல வணிகமயமாக்கல் சவால்களிலிருந்து இன்றைய 8-அங்குல செதில் மாற்றம் வரை. CVD SiC பூச்சுகள், Solid SiC மற்றும் TaC பொருட்கள் எவ்வாறு நம்பகமான குறைக்கடத்தி உற்பத்தியை செயல்படுத்துகின்றன என்பதைக் கண்டறியவும்.

சிவிடி எஸ்ஐசி-கோடட் கிராஃபைட் சஸ்செப்டர்கள் வெப்ப சீரான தன்மையை மேம்படுத்துவதன் மூலம் எபிடாக்சியல் வளர்ச்சியை மேம்படுத்துவது, மாசுபாட்டை குறைப்பது மற்றும் SiC, GaN, LED மற்றும் சிலிக்கான் குறைக்கடத்தி உற்பத்தியில் கூறுகளின் ஆயுளை நீட்டிப்பது எப்படி என்பதை அறிக.

வழக்கமான pBN பூசப்பட்ட ஹீட்டர்களுடன் ஒப்பிடும்போது TaC-கோடட் கிராஃபைட் ஹீட்டர்கள் எப்படி வெப்பநிலை சீரான தன்மையை மேம்படுத்துகின்றன, ஆற்றல் நுகர்வு குறைக்கின்றன மற்றும் GaN MOCVD எபிடாக்ஸியில் சேவை ஆயுளை நீட்டிக்கின்றன என்பதைக் கண்டறியவும்.

கார்பன் மாசுபாட்டைக் குறைத்தல், கிராஃபைட் கூறுகளைப் பாதுகாத்தல், சேவை ஆயுளை நீட்டித்தல் மற்றும் மேம்பட்ட குறைக்கடத்தி உற்பத்திக்கான படிகத் தரத்தை அதிகரிப்பதன் மூலம் PVT உலைகளில் சிவிடி TaC பூச்சு எவ்வாறு SiC படிக வளர்ச்சியை மேம்படுத்துகிறது என்பதைக் கண்டறியவும்.