UV LED ரிசீவர்

VeTek செமிகண்டக்டர் என்பது UV LED Susceptors இல் நிபுணத்துவம் பெற்ற ஒரு உற்பத்தியாளர், LED EPI susceptors இல் பல வருட ஆராய்ச்சி மற்றும் மேம்பாடு மற்றும் உற்பத்தி அனுபவத்தைக் கொண்டுள்ளது, மேலும் தொழில்துறையில் பல வாடிக்கையாளர்களால் அங்கீகரிக்கப்பட்டுள்ளது.

LED, அதாவது, குறைக்கடத்தி ஒளி-உமிழும் டையோடு, அதன் ஒளிர்வின் இயற்பியல் தன்மை என்னவென்றால், குறைக்கடத்தி pn சந்திப்பு ஆற்றல் பெற்ற பிறகு, மின் ஆற்றலின் இயக்கத்தின் கீழ், எலக்ட்ரான்கள் மற்றும் துளைகள் ஃபோட்டான்களை உருவாக்குவதற்கு இணைக்கப்படுகின்றன. குறைக்கடத்தி ஒளிர்வு அடைய. எனவே, எபிடாக்சியல் தொழில்நுட்பம் LED இன் அடித்தளங்கள் மற்றும் மையங்களில் ஒன்றாகும், மேலும் இது LED இன் மின் மற்றும் ஒளியியல் பண்புகளுக்கான முக்கிய தீர்க்கமான காரணியாகும்.

Epitaxy (EPI) தொழில்நுட்பம் என்பது ஒரு படிகப் பொருளின் வளர்ச்சியை ஒரு படிக அடி மூலக்கூறின் அதே லட்டு ஏற்பாட்டைக் குறிக்கிறது. அடிப்படைக் கொள்கை: தகுந்த வெப்பநிலையில் சூடேற்றப்பட்ட அடி மூலக்கூறில் (முக்கியமாக சபையர் அடி மூலக்கூறு, SiC அடி மூலக்கூறு மற்றும் Si அடி மூலக்கூறு), வாயுப் பொருட்கள் இண்டியம் (In), காலியம் (Ga), அலுமினியம் (Al), பாஸ்பரஸ் (P) ஆகியவை மேற்பரப்பில் கட்டுப்படுத்தப்படுகின்றன. அடி மூலக்கூறு ஒரு குறிப்பிட்ட ஒற்றை படிக படத்தை வளர்க்க. தற்போது, ​​எல்இடி எபிடாக்சியல் ஷீட்டின் வளர்ச்சி தொழில்நுட்பம் முக்கியமாக MOCVD (கரிம உலோக இரசாயன வானிலை படிவு) முறையைப் பயன்படுத்துகிறது.

LED epitaxial அடி மூலக்கூறு பொருள்

1. சிவப்பு மற்றும் மஞ்சள் LED:

GaP மற்றும் GaAக்கள் பொதுவாக சிவப்பு மற்றும் மஞ்சள் LED களுக்கு அடி மூலக்கூறுகளாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. GaP அடி மூலக்கூறுகள் திரவ நிலை எபிடாக்சி (LPE) முறையில் பயன்படுத்தப்படுகின்றன, இதன் விளைவாக 565-700 nm அலைநீளம் பரவுகிறது. வாயு கட்ட எபிடாக்ஸி (VPE) முறைக்கு, GaAsP எபிடாக்சியல் அடுக்குகள் வளர்க்கப்படுகின்றன, இது 630-650 nm இடையே அலைநீளங்களை அளிக்கிறது. MOCVD ஐப் பயன்படுத்தும் போது, ​​AlInGaP எபிடாக்சியல் கட்டமைப்புகளின் வளர்ச்சியுடன் GaAs அடி மூலக்கூறுகள் பொதுவாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. 

இது GaAs அடி மூலக்கூறுகளின் ஒளி உறிஞ்சுதல் குறைபாடுகளை சமாளிக்க உதவுகிறது, இருப்பினும் இது லட்டு பொருத்தமின்மையை அறிமுகப்படுத்துகிறது, வளர்ந்து வரும் InGaP மற்றும் AlGaInP கட்டமைப்புகளுக்கு இடையக அடுக்குகள் தேவைப்படுகின்றன.

VeTek செமிகண்டக்டர் SiC பூச்சு,TaC பூச்சுடன் LED EPI சஸ்செப்டரை வழங்குகிறது:

VEECO LED EPI ரிசீவர் எல்இடி இபிஐ சஸ்செப்டரில் பயன்படுத்தப்படும் TaC பூச்சு

2. நீலம் மற்றும் பச்சை LED:

 ● GaN அடி மூலக்கூறு: GaN ஒற்றைப் படிகமானது GaN வளர்ச்சிக்கு உகந்த அடி மூலக்கூறு, படிக தரம், சிப் ஆயுட்காலம், ஒளிரும் திறன் மற்றும் தற்போதைய அடர்த்தி ஆகியவற்றை மேம்படுத்துகிறது. இருப்பினும், அதன் கடினமான தயாரிப்பு அதன் பயன்பாட்டைக் கட்டுப்படுத்துகிறது.

சபையர் அடி மூலக்கூறு: சபையர் (Al2O3) என்பது GaN வளர்ச்சிக்கு மிகவும் பொதுவான அடி மூலக்கூறு ஆகும், இது நல்ல இரசாயன நிலைத்தன்மையை வழங்குகிறது மற்றும் புலப்படும் ஒளி உறிஞ்சுதல் இல்லை. இருப்பினும், மின் சில்லுகளின் உயர் மின்னோட்டம் செயல்பாட்டில் போதிய வெப்ப கடத்துத்திறன் இல்லாத சவால்களை எதிர்கொள்கிறது.

● SiC அடி மூலக்கூறு: SiC என்பது GaN வளர்ச்சிக்கு பயன்படுத்தப்படும் மற்றொரு அடி மூலக்கூறு, சந்தைப் பங்கில் இரண்டாவது இடத்தில் உள்ளது. இது நல்ல இரசாயன நிலைத்தன்மை, மின் கடத்துத்திறன், வெப்ப கடத்துத்திறன் மற்றும் புலப்படும் ஒளி உறிஞ்சுதல் ஆகியவற்றை வழங்குகிறது. இருப்பினும், இது சபையருடன் ஒப்பிடும்போது அதிக விலை மற்றும் குறைந்த தரம் கொண்டது. 380 nm க்கும் குறைவான UV LEDகளுக்கு SiC பொருந்தாது. SiC இன் சிறந்த மின் மற்றும் வெப்ப கடத்துத்திறன் சபையர் அடி மூலக்கூறுகளில் ஆற்றல் வகை GaN LED களில் வெப்பச் சிதறலுக்கான ஃபிளிப்-சிப் பிணைப்பின் தேவையை நீக்குகிறது. மின் வகை GaN LED சாதனங்களில் வெப்பச் சிதறலுக்கு மேல் மற்றும் கீழ் மின்முனை அமைப்பு பயனுள்ளதாக இருக்கும்.

LED எபிடாக்ஸி ரிசீவர் TaC பூச்சுடன் MOCVD சஸ்செப்டர்

3. ஆழமான UV LED EPI:

ஆழமான புற ஊதா (DUV) LED epitaxy, deep UV LED அல்லது DUV LED Epitaxy, பொதுவாகப் பயன்படுத்தப்படும் இரசாயனப் பொருட்களில் அலுமினியம் நைட்ரைடு (AlN), சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC) மற்றும் காலியம் நைட்ரைடு (GaN) ஆகியவை அடங்கும். இந்த பொருட்கள் நல்ல வெப்ப கடத்துத்திறன், மின் காப்பு மற்றும் படிக தரம் ஆகியவற்றைக் கொண்டுள்ளன, அவை உயர் சக்தி மற்றும் உயர் வெப்பநிலை சூழல்களில் DUV LED பயன்பாடுகளுக்கு ஏற்றதாக அமைகின்றன. அடி மூலக்கூறுப் பொருளின் தேர்வு பயன்பாட்டுத் தேவைகள், புனையமைப்புச் செயல்முறைகள் மற்றும் செலவுக் கருத்தாய்வு போன்ற காரணிகளைப் பொறுத்தது.

SiC பூசப்பட்ட ஆழமான UV LED சஸ்பெக்டர் TaC பூசப்பட்ட ஆழமான UV LED சஸ்பெக்டர்