SiC-Coated Graphite Susceptor: எபிடாக்ஸி சீரான தன்மை மற்றும் வேஃபர் தரத்தை இது எவ்வாறு பாதிக்கிறது?

ஒரு SiC-பூசப்பட்ட கிராஃபைட் சஸ்செப்டர் வெறுமனே ஒரு செதில் வைத்திருப்பவர் அல்ல. குறைக்கடத்தி எபிடாக்ஸியில், இது ஒரு வெப்ப-புல கூறு, ஒரு இயந்திர இடைமுகம் மற்றும் அதே நேரத்தில் ஒரு செயல்முறை எதிர்கொள்ளும் மேற்பரப்பு ஆகும். அதன் கிராஃபைட் உடல் இயந்திரத்திறன் மற்றும் வெப்ப செயல்பாட்டை வழங்குகிறது, அதே நேரத்தில் CVD SiC பூச்சு செதில்களுக்கு அருகில் ஒரு வேதியியல் ரீதியாக நிலையான மேற்பரப்பை வழங்குகிறது. செதில் வெப்பநிலையானது சஸ்பெப்டர் வடிவியல், தட்டையான தன்மை, பாக்கெட் வடிவமைப்பு மற்றும் மேற்பரப்பு நிலை ஆகியவற்றுடன் இணைந்திருப்பதால், சஸ்செப்டர் தரமானது எபிடாக்சியல் சீரான தன்மை மற்றும் ரன்-டு-ரன் ஸ்திரத்தன்மையை பாதிக்கலாம்.

சஸ்செப்டர் ஏன் எபிடாக்ஸி செயல்முறையின் ஒரு பகுதியாகும்

சிலிக்கான் அல்லது SiC எபிடாக்ஸியின் போது, ​​செதில் இறுக்கமாக கட்டுப்படுத்தப்பட்ட வெப்ப மற்றும் இரசாயன சூழலுக்குள் வைக்கப்பட வேண்டும். சஸ்பெப்டர் செதில்களை ஆதரிக்கிறது, ஜோடிகளை இணைக்கிறது அல்லது அணு உலையிலிருந்து ஆற்றலை உறிஞ்சுகிறது, வெப்பத்தை செதில் நோக்கி மாற்றுகிறது மற்றும் அதன் கீழே உள்ள இயற்பியல் எல்லையை உடனடியாக வரையறுக்கிறது. இந்த காரணத்திற்காக, கிராஃபைட் தரம் அல்லது பூச்சு தடிமன் மூலம் மட்டுமே கூறுகளை தீர்மானிக்க முடியாது.

கிராஃபைட் சஸ்பெப்டர்களின் பண்புகள் மற்றும் தரம் எபிடாக்சியல்-லேயர் தரத்தில் ஒரு முக்கிய விளைவைக் கொண்டிருப்பதாக SGL கார்பன் கூறுகிறது மற்றும் உயர்-தூய்மை ஐசோஸ்டேடிக் கிராஃபைட், ஒரே மாதிரியான SiC பூச்சு மற்றும் நெருக்கமான பரிமாண சகிப்புத்தன்மையை வலியுறுத்துகிறது. அதன் ASM சஸ்செப்டர் புரோகிராம், பாக்கெட் சுயவிவரம், தட்டையான தன்மை, மேற்பரப்பு பூச்சு மற்றும் தூய்மை ஆகியவற்றை செயல்முறை தொடர்பான விவரக்குறிப்புகளாக எடுத்துக்காட்டுகிறது.

எனவே பொறியியல் உறவை இவ்வாறு வெளிப்படுத்தலாம்:

சஸ்செப்டர் மெட்டீரியல் + ஜியோமெட்ரி + பிளாட்னெஸ் + பூச்சு நிலை → வேஃபர் வெப்ப எல்லை → வேஃபர் வெப்பநிலை விநியோகம் → எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி

தாங்கி தனியாக செயல்படாது. வாயு ஓட்டம், உலை வடிவமைப்பு, செதில் சுழற்சி, அழுத்தம், முன்னோடி வேதியியல் மற்றும் வெப்பநிலை-கட்டுப்பாட்டு உத்தி ஆகியவை அவசியமானவை. இருப்பினும், சசெப்டர் என்பது முதன்மை வன்பொருள் இடைமுகங்களில் ஒன்றாகும், இதன் மூலம் இந்த நிபந்தனைகள் செதில்களுக்கு வழங்கப்படுகின்றன.

வடிவியல் மற்றும் தட்டையானது எப்படி வேஃபர் வெப்பநிலையை பாதிக்கிறது

ஒரு எபிடாக்ஸி சஸ்செப்டருக்கு, பரிமாணத் துல்லியமும் ஒரு வெப்ப அளவுருவாகும்.

மிகவும் ஆழமான, மிக ஆழமற்ற அல்லது உள்நாட்டில் சிதைந்த ஒரு செதில் பாக்கெட், செதில் மற்றும் சஸ்பெப்டர் மேற்பரப்புக்கு இடையிலான இடைவெளியை மாற்றுகிறது. பிளாட்னெஸ் பிழையானது உள்ளூர் வெப்பத் தொடர்பு, கதிர்வீச்சு பரிமாற்றம் மற்றும் செதில்களின் அடியில் உள்ள பயனுள்ள வெப்ப எல்லையை மாற்றும். மல்டி-பாக்கெட் கேரியரில், பாக்கெட்டுகளுக்கு இடையே உள்ள சிறிய வேறுபாடுகள், பெயரளவிலான உலை செட் பாயிண்ட் மாறாமல் இருக்கும் போதும் வெவ்வேறு உள்ளூர் வெப்பநிலை வரலாறுகளை உருவாக்கலாம்.

பாக்கெட் விட்டம், பாக்கெட் ஆழம், விளிம்பு சுயவிவரம், சுவர் தடிமன், செறிவு மற்றும் ஒட்டுமொத்த சமதளம் ஆகியவை தனிமைப்படுத்தப்பட்ட பரிமாணங்களாக இல்லாமல் இணைக்கப்பட்ட வடிவமைப்பு அமைப்பாகக் கருதப்பட வேண்டும்.

வணிக சஸ்பெப்டர் விவரக்குறிப்புகள் இந்த உறவைப் பிரதிபலிக்கின்றன. SGL கார்பன் சிலிக்கான் எபிடாக்ஸி சஸ்செப்டர்களின் முக்கிய குணாதிசயங்களாக பாக்கெட் சுயவிவரம், பிளாட்னெஸ் மற்றும் பரிமாண இணக்கத்தை அடையாளம் காட்டுகிறது, அதே நேரத்தில் மெர்சன் எபிடாக்ஸிக்கான பூசப்பட்ட கிராஃபைட் கருவிகளில் துல்லியமான எந்திரம் மற்றும் வெப்ப சீரான தன்மையை வலியுறுத்துகிறது.

எனவே மிகவும் பயனுள்ள பொறியியல் கேள்வி வெறுமனே இல்லை:

> வரைதல் சகிப்புத்தன்மை உள்ள பகுதி?

இது:

> ஒவ்வொரு செதில் நிலையிலும் உத்தேசிக்கப்பட்ட வெப்ப எல்லையைப் பாதுகாக்க முக்கியமான அளவுகள் இறுக்கமாக கட்டுப்படுத்தப்படுகின்றனவா?

மாற்று சப்செப்டர்களுக்கு இந்த வேறுபாடு மிகவும் முக்கியமானது. ஒரு கூறு ஏற்கனவே இருக்கும் பகுதியைப் போலவே வடிவியல் ரீதியாகத் தோன்றலாம், ஆனால் அதன் பாக்கெட் சுயவிவரம், தட்டையான தன்மை, கிராஃபைட் தரம், மேற்பரப்பு பூச்சு அல்லது பூச்சு கட்டமைப்பு ஆகியவை தகுதியான வடிவமைப்பிலிருந்து வேறுபட்டால் வித்தியாசமாக நடந்து கொள்ளலாம்.

CVD SiC பூச்சு ஏன் இரசாயன பாதுகாப்பிற்கு அப்பால் முக்கியமானது

CVD SiC பூச்சு பெரும்பாலும் ஒரு பாதுகாப்பு அடுக்கு என விவரிக்கப்படுகிறது, ஆனால் அந்த வரையறை முழுமையடையாது.

அதன் முதல் செயல்பாடு இரசாயனமாகும். அடர்த்தியான SiC மேற்பரப்பு கிராஃபைட் அடி மூலக்கூறின் நேரடி வெளிப்பாட்டை உயர்-வெப்பநிலை செயல்முறை வாயுக்கள் மற்றும் சுத்தம் செய்யும் வேதியியலுக்குக் குறைக்கிறது. அதன் இரண்டாவது செயல்பாடு மாசு கட்டுப்பாடு ஆகும், ஏனெனில் பூச்சு செதில்களுக்கு மிக நெருக்கமான செயல்முறை எதிர்கொள்ளும் மேற்பரப்பாக மாறுகிறது. அதன் மூன்றாவது செயல்பாடு மேற்பரப்பின் நிலைத்தன்மை: மீண்டும் மீண்டும் படிதல், சுத்தம் செய்தல், சூடாக்குதல் மற்றும் குளிரூட்டும் சுழற்சிகள் மூலம் சஸ்பெப்டர் ஒரு நிலையான நிலையை பராமரிக்க வேண்டும்.

SGL கார்பன் அதன் SiC பூச்சுகளை அதிக இரசாயன மற்றும் வெப்ப எதிர்ப்பைக் கொண்ட அடர்த்தியான CVD அடுக்குகளாக விவரிக்கிறது மற்றும் கிராஃபைட் அடி மூலக்கூறின் வெப்ப-விரிவாக்க நடத்தை வெப்ப அழுத்தத்தைக் குறைக்க பூச்சுக்கு மாற்றியமைக்கப்பட வேண்டும் என்று குறிப்பிடுகிறது. நீண்ட கால பூச்சு ஒருமைப்பாட்டிற்கு கிராஃபைட்/SiC CTE இணக்கத்தன்மை முக்கியமானது என மெர்சன் அடையாளம் காட்டுகிறது.

எபிடாக்ஸிக்காக, பெயரளவு தடிமனை விட அதிகமாக பயன்படுத்தி பூச்சு தரத்தை மதிப்பிட வேண்டும். தடிமன் சீரான தன்மை, மேற்பரப்பு கடினத்தன்மை, பின்ஹோல் எதிர்ப்பு, இடைமுகத்தின் நிலைப்புத்தன்மை மற்றும் பூச்சு ஒருமைப்பாடு முக்கியமானது, ஏனெனில் விரிசல், உரித்தல் அல்லது முற்போக்கான மேற்பரப்பு கடினப்படுத்துதல் ஆகியவை செதில் வழங்கப்பட்ட எல்லையை மாற்றுகிறது.

முடிக்கப்பட்ட சஸ்செப்டர் ஒரு இணைந்த பொருள் அமைப்பாக நன்கு புரிந்து கொள்ளப்படுகிறது:

கிராஃபைட் அடி மூலக்கூறு + துல்லிய வடிவியல் + CVD SiC மேற்பரப்பு + இடைமுக ஒருமைப்பாடு

இந்த உறுப்புகளில் ஏதேனும் ஒரு மாற்றம் முழுமையான கூறுகளின் நடத்தையை மாற்றும்.

அதனால்தான் "தடிமனான பூச்சு" தானாகவே "சிறந்த பூச்சு" என்று விளக்கப்படக்கூடாது. அடி மூலக்கூறு, கூறு சகிப்புத்தன்மை மற்றும் மீண்டும் மீண்டும் வெப்ப சைக்கிள் ஓட்டுதல் ஆகியவற்றுடன் இணக்கமாக இருக்கும் போது ஒரு பூச்சு போதுமான பாதுகாப்பை வழங்க வேண்டும்.

சஸ்செப்டர் நிலை எபிடாக்ஸி சீரான தன்மையை எவ்வாறு பாதிக்கலாம்

எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி வெப்பநிலைக்கு அதிக உணர்திறன் கொண்டது. எனவே உள்ளூர் செதில் வெப்பநிலை வளர்ச்சி விகிதம், அடுக்கு தடிமன், கலவை மற்றும் மின்-சொத்து சீரான தன்மைக்கு பங்களிக்கிறது.

சஸ்பெப்டர் பிளாட்னெஸ் மாறினால், ஒரு செதில் பாக்கெட் அணிந்தால், வைப்புக்கள் சமமாக குவிந்தால் அல்லது SiC பூச்சு உள்நாட்டில் சிதைந்தால், செதில்களைச் சுற்றியுள்ள வெப்ப மற்றும் இரசாயன எல்லையும் மாறலாம். இதன் விளைவாக தானாகவே ஒரு குறைபாடுள்ள செதில் இல்லை, ஆனால் பாக்கெட்-டு-பாக்கெட், வேஃபர்-டு-வேஃபர் அல்லது ரன்-டு-ரன் மாறுபாட்டின் ஆபத்து அதிகரிக்கும்.

பொறிமுறையை எளிமைப்படுத்தலாம்:

வடிவியல் அல்லது மேற்பரப்பு மாற்றம் → உள்ளூர் வெப்ப எல்லை மாற்றம் → வேஃபர் வெப்பநிலை மாற்றம் → வளர்ச்சி-இயக்கவியல் மாற்றம்

சுழலும் MOCVD வேஃபர் கேரியர்களுக்கும் இதே போன்ற கொள்கை பொருந்தும். SGL கார்பன் உயர்-தூய்மை கிராஃபைட், ஒரே மாதிரியான SiC பூச்சு, வெப்ப கடத்துத்திறன் மற்றும் இறுக்கமான பரிமாண சகிப்புத்தன்மையை LED உற்பத்தியில் செதில்-கேரியர் செயல்திறனுடன் இணைக்கிறது.

எனவே "சிறந்த SiC பூச்சு விளைச்சலை அதிகரிக்கிறது" என்று கூறுவது மிகவும் எளிமையானது. ஒரு நிலையான, பரிமாணக் கட்டுப்படுத்தப்பட்ட SiC-பூசப்பட்ட கிராஃபைட் சஸ்செப்டர் மீண்டும் மீண்டும் செய்யக்கூடிய எபிடாக்ஸிக்கு தேவையான வெப்ப மற்றும் மேற்பரப்பு நிலைமைகளை பராமரிக்க உதவுகிறது என்பது மிகவும் தொழில்நுட்ப ரீதியாக பாதுகாக்கக்கூடிய முடிவாகும்.

இது சீரற்ற தன்மையை விசாரிக்கும் முறையையும் மாற்றுகிறது.

எபிடாக்சி உலை விவரிக்கப்படாத சறுக்கலைக் காட்டத் தொடங்கும் போது, ​​செயல்முறைப் பொறியாளர்கள் இயற்கையாகவே வெப்பநிலை அமைப்புகள், வாயு ஓட்டம், அழுத்தம் மற்றும் முன்னோடி விநியோகத்தை ஆய்வு செய்கின்றனர். சஸ்செப்டர் நிலையும் அதே விசாரணையில் சேர்க்கப்பட வேண்டும். பிளாட்னெஸ், பாக்கெட் தேய்மானம், டெபாசிட் வரலாறு, பூச்சு ஒருமைப்பாடு மற்றும் மாற்று பாகங்களின் பரிமாண இணக்கம் அனைத்தும் தொடர்புடைய மாறிகளாக மாறும்.

இந்த அர்த்தத்தில், சஸ்செப்டர் என்பது ஒரு நுகர்வு கூறு மட்டுமல்ல. இது செயல்முறை-கட்டுப்பாட்டு வன்பொருளின் ஒரு பகுதியாகும்.

வேஃபர் செயல்முறைக்கு முக்கியமான தோல்வி முறைகள்

சஸ்செப்டர் சிதைவு பெரும்பாலும் பேரழிவை விட படிப்படியாக உள்ளது. அதன் செயல்முறை நடத்தை ஏற்கனவே மாறத் தொடங்கும் போது ஒரு பகுதி இயந்திரத்தனமாக அப்படியே இருக்கலாம்.

பூச்சு விரிசல் அல்லது சிதைவு கிராஃபைட்டை வெளிப்படுத்தலாம் மற்றும் துகள் அபாயத்தை அதிகரிக்கும். விளிம்பு உரித்தல் உள்ளூர் அழுத்த செறிவைக் குறிக்கலாம். மேற்பரப்பு கடினப்படுத்துதல் செயல்முறை எதிர்கொள்ளும் நிலையை மாற்றுகிறது மற்றும் அடுத்தடுத்த வைப்பு நடத்தையை பாதிக்கலாம். பாக்கெட் உடைகள் செதில் பொருத்துதலை மாற்றும், அதே சமயம் தட்டையான தன்மை இழப்பு செதில் மற்றும் சசெப்டருக்கு இடையிலான வெப்ப உறவை மாற்றுகிறது. சீரற்ற பூச்சு சிதைவு ஒரே கூறு முழுவதும் வெவ்வேறு மேற்பரப்பு நிலைகளை உருவாக்கலாம்.

இந்த மாற்றங்கள் வெப்ப சுழற்சி, கிராஃபைட்/SiC CTE பொருத்தமின்மை, செயல்முறை வேதியியல், ஆக்கிரமிப்பு சுத்தம், இயந்திர கையாளுதல், பூச்சு குறைபாடுகள் அல்லது திரட்டப்பட்ட சேவை நேரம் ஆகியவற்றால் ஏற்படலாம்.

எனவே தொடர்புடைய பொறியியல் கேள்வி மட்டுமல்ல:

> சஸ்பெக்டர் தோல்வியடைந்ததா?

மாறாக:

> வேஃபர் அனுபவிக்கும் செயல்முறை எல்லையை மாற்றும் அளவுக்கு சஸ்செப்டர் மாறிவிட்டதா?

இந்தக் கேள்விக்கு விடை காண காட்சி ஆய்வு மட்டும் போதுமானதாக இருக்காது. செயல்முறையைப் பொறுத்து, அர்த்தமுள்ள தகுதியில் பரிமாண அளவீடு, பிளாட்னெஸ் சரிபார்ப்பு, பாக்கெட் சுயவிவர ஆய்வு, மேற்பரப்பு-நிலை மதிப்பீடு மற்றும் பூச்சு-ஒருமைப்பாடு மதிப்பீடு ஆகியவை அடங்கும்.

இதனால்தான் ஒவ்வொரு SiC- பூசப்பட்ட கிராஃபைட் சஸ்பெப்டரும் மாற்றப்பட வேண்டிய உலகளாவிய செயல்முறை சுழற்சிகள் எதுவும் இல்லை. சுத்தம் செய்தல், மீண்டும் பூசுதல் அல்லது மாற்றுதல் ஆகியவை கூறு நிலை மற்றும் செயல்முறை சான்றுகளின் அடிப்படையில் இருக்க வேண்டும்.

தனிப்பயன் அல்லது மாற்று எபிடாக்ஸி சஸ்செப்டரை எவ்வாறு குறிப்பிடுவது

"SiC- பூசப்பட்ட கிராஃபைட்" க்கான பொதுவான கோரிக்கையுடன் இல்லாமல், தொழில்நுட்ப ரீதியாக பயனுள்ள RFQ உலை மற்றும் செயல்முறையுடன் தொடங்க வேண்டும்.

சிலிக்கான் எபிடாக்ஸி அல்லது SiC எபிடாக்சி, வேஃபர் அளவு, பாக்கெட் உள்ளமைவு, வெப்பமூட்டும் முறை, இயக்க வெப்பநிலை வரம்பு, செயல்முறை வாயுக்கள் மற்றும் துப்புரவு வேதியியல் ஆகியவற்றிற்கு இந்த கூறு பயன்படுத்தப்படுகிறதா என்பதை சப்ளையர் முதலில் உலை உற்பத்தியாளர் மற்றும் மாதிரியை புரிந்து கொள்ள வேண்டும்.

கூறு வரையறையானது செயல்முறை நடத்தையை பாதிக்கும் பரிமாணங்களை நிறுவ வேண்டும், குறிப்பாக தட்டையான தன்மை, பாக்கெட் ஆழம், பாக்கெட் விட்டம், விளிம்பு வடிவியல் மற்றும் பிற முக்கியமான சகிப்புத்தன்மை. கிராஃபைட் தரம், தூய்மை, CVD SiC பூச்சு தேவைகள், மேற்பரப்பு பூச்சு மற்றும் ஆய்வு அளவுகோல்கள் இந்த தேவைகளைச் சுற்றி வரையறுக்கப்பட வேண்டும்.

ஒரு நடைமுறை தேர்வு வரிசை:

உலை → செயல்முறை → வடிவியல் → கிராஃபைட் → SiC பூச்சு → ஆய்வு

மாற்று கூறுகளுக்கு, ஏற்கனவே உள்ள வரைதல் மிகவும் மதிப்புமிக்கது, ஆனால் வரைதல் மட்டும் ஒவ்வொரு செயல்முறை-முக்கியமான தேவையையும் கொண்டிருக்காது. தகுதிவாய்ந்த பொருள் தரம், பூச்சு விவரக்குறிப்பு, வரலாற்று ஆய்வு தரவு மற்றும் உண்மையான இயக்க நிலைமைகள் சமமாக முக்கியமானதாக இருக்கும்.

நோக்கம் பூச்சு ஆயுளை அதிகரிப்பது மட்டுமல்ல. கூறுகளின் சேவைக் காலம் முழுவதும் சஸ்பெப்டருக்கும் செதில்களுக்கும் இடையில் மீண்டும் மீண்டும் செய்யக்கூடிய உறவைப் பாதுகாப்பதாகும்.

இதன் பொருள் கலவையை பராமரிப்பது:

பரிமாண நிலைத்தன்மை + வெப்ப நிலைத்தன்மை + மேற்பரப்பு ஒருமைப்பாடு + குறைந்த மாசுபாடு + குறைந்த துகள் ஆபத்து

எபிடாக்ஸி செயல்முறை மூலம் தேவைப்படுகிறது.

அடிக்கடி கேட்கப்படும் கேள்விகள்

1. எபிடாக்ஸியில் SiC-பூசப்பட்ட கிராஃபைட் சஸ்செப்டர் என்ன செய்கிறது?  

உலை வெப்பப் புலத்தின் ஒரு பகுதியாகவும், செதில்களுக்குக் கீழே செயல்முறை எதிர்கொள்ளும் மேற்பரப்பாகவும் செயல்படும் போது இது செதில்களை ஆதரிக்கிறது. அதன் வடிவியல் மற்றும் மேற்பரப்பு நிலை ஆகியவை செதில்களின் உள்ளூர் வெப்ப சூழலை வரையறுக்க உதவுகின்றன.

2. கிராஃபைட் சஸ்செப்டர்கள் ஏன் SiC உடன் பூசப்படுகின்றன?  

கிராஃபைட் இயந்திரத்திறன் மற்றும் பயனுள்ள வெப்ப நடத்தையை வழங்குகிறது, அதே சமயம் CVD SiC மிகவும் இரசாயன ரீதியாக நிலையான மற்றும் மாசு-எதிர்ப்பு செயல்முறை எதிர்கொள்ளும் மேற்பரப்பை வழங்குகிறது.

3. சஸ்பெப்டர் பிளாட்னெஸ் எபிடாக்சியல் ஒற்றுமையை எவ்வாறு பாதிக்கிறது?  

தட்டையானது செதில் மற்றும் சஸ்பெப்டருக்கு இடையிலான வடிவியல் மற்றும் வெப்ப உறவை மாற்றுகிறது. அதிகப்படியான விலகல் உள்ளூர் வெப்ப பரிமாற்றத்தை மாற்றும் மற்றும் செதில்-வெப்பநிலை சீரற்ற தன்மைக்கு பங்களிக்கும்.

4. SiC பூச்சு சேதம் செதில் தரத்தை பாதிக்குமா?  

பூச்சு சேதமானது கிராஃபைட்டை வெளிப்படுத்துதல், துகள்களை உருவாக்குதல் அல்லது உள்ளூர் மேற்பரப்பு நிலையை மாற்றுவதன் மூலம் செயல்முறை நிலைத்தன்மையை பாதிக்கலாம். நடைமுறை தாக்கம் சேதத்தின் இடம் மற்றும் தீவிரம் மற்றும் உலை செயல்முறை ஆகியவற்றைப் பொறுத்தது.

5. தனிப்பயன் அல்லது மாற்று சசெப்டர் RFQக்கு என்ன தகவல் தேவை?  

உலை மாதிரி, செயல்முறை வகை, செதில் அளவு, வரைதல் அல்லது STEP கோப்பு, பாக்கெட் வடிவியல், தட்டையான தன்மை மற்றும் முக்கியமான சகிப்புத்தன்மை, கிராஃபைட் தேவை, SiC பூச்சு விவரக்குறிப்பு, மேற்பரப்பு பூச்சு, ஆய்வு தேவைகள் மற்றும் அளவு ஆகியவற்றை வழங்கவும்.

குறிப்புகள்

1. SGL கார்பன் — சிலிக்கான் மற்றும் SiC எபிடாக்ஸிக்கான கிராஃபைட் சஸ்பெப்டர்கள் மற்றும் கூறுகள். உயர் தூய்மை ஐசோஸ்டேடிக் கிராஃபைட், ஒரே மாதிரியான SiC பூச்சுகள், பரிமாண சகிப்புத்தன்மை மற்றும் எபிடாக்ஸி பயன்பாடுகள் பற்றிய தொழில்நுட்ப தகவல்கள்.

2. SGL கார்பன் — ASM எப்சிலான் உலைகளுக்கான சஸ்பெப்டர்கள். பாக்கெட் சுயவிவரம், தட்டையான தன்மை, மேற்பரப்பு பூச்சு, தூய்மை, பூச்சு மற்றும் சிலிக்கான் எபிடாக்ஸி சஸ்செப்டர்களுக்கான பரிமாணக் கட்டுப்பாடு பற்றிய தொழில்நுட்ப தகவல்கள்.

3. மெர்சன் - செமிகண்டக்டர் செயல்முறை உபகரணங்கள். அதி-தூய்மையான SiC-கோடட் கிராஃபைட், CTE இணக்கத்தன்மை, துல்லியமான எந்திரம் மற்றும் எபிடாக்ஸி/எம்ஓசிவிடி பயன்பாடுகள் பற்றிய தொழில்நுட்ப தகவல்கள்.