செய்தி

CVD TAC பூச்சு என்பது ஒரு அடி மூலக்கூறில் (கிராஃபைட்) அடர்த்தியான மற்றும் நீடித்த பூச்சுகளை உருவாக்குவதற்கான ஒரு செயல்முறையாகும். இந்த முறையானது உயர் வெப்பநிலையில் அடி மூலக்கூறு மேற்பரப்பில் TaC ஐ வைப்பதை உள்ளடக்குகிறது, இதன் விளைவாக சிறந்த வெப்ப நிலைப்புத்தன்மை மற்றும் இரசாயன எதிர்ப்புடன் டான்டலம் கார்பைடு (TaC) பூச்சு உருவாகிறது.

8 அங்குல சிலிக்கான் கார்பைடு (sic) செயல்முறை முதிர்ச்சியடையும் போது, ​​உற்பத்தியாளர்கள் 6 அங்குலத்திலிருந்து 8 அங்குலத்திற்கு மாற்றத்தை துரிதப்படுத்துகிறார்கள். சமீபத்தில், குறைக்கடத்தி மற்றும் ரெசோனாக் 8 அங்குல எஸ்.ஐ.சி உற்பத்தி குறித்த புதுப்பிப்புகளை அறிவித்தது.

இந்தக் கட்டுரை இத்தாலிய நிறுவனமான LPEயின் புதிதாக வடிவமைக்கப்பட்ட PE1O8 ஹாட்-வால் CVD அணுஉலையின் சமீபத்திய மேம்பாடுகள் மற்றும் 200mm SiC இல் சீரான 4H-SiC எபிடாக்ஸியைச் செய்யும் திறன் ஆகியவற்றை அறிமுகப்படுத்துகிறது.

பவர் எலக்ட்ரானிக்ஸ், ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக்ஸ் மற்றும் பிற துறைகளில் SiC பொருட்களுக்கான தேவை அதிகரித்து வருவதால், SiC ஒற்றை படிக வளர்ச்சி தொழில்நுட்பத்தின் வளர்ச்சி அறிவியல் மற்றும் தொழில்நுட்ப கண்டுபிடிப்புகளின் முக்கிய பகுதியாக மாறும். SiC ஒற்றை படிக வளர்ச்சி உபகரணங்களின் மையமாக, வெப்ப புல வடிவமைப்பு தொடர்ந்து விரிவான கவனத்தையும் ஆழமான ஆராய்ச்சியையும் பெறும்.

தொடர்ச்சியான தொழில்நுட்ப முன்னேற்றம் மற்றும் ஆழமான பொறிமுறை ஆராய்ச்சி மூலம், 3C-SIC ஹீட்டோரோபிடாக்சியல் தொழில்நுட்பம் குறைக்கடத்தி தொழிலில் மிக முக்கிய பங்கு வகிக்கும் மற்றும் உயர் திறன் கொண்ட மின்னணு சாதனங்களின் வளர்ச்சியை ஊக்குவிக்கும் என்று எதிர்பார்க்கப்படுகிறது.

இடஞ்சார்ந்த ALD, இடஞ்சார்ந்த தனிமைப்படுத்தப்பட்ட அணு அடுக்கு படிவு. செதில் வெவ்வேறு நிலைகளுக்கு இடையில் நகர்கிறது மற்றும் ஒவ்வொரு நிலையிலும் வெவ்வேறு முன்னோடிகளுக்கு வெளிப்படும். கீழே உள்ள படம் பாரம்பரிய ALD மற்றும் இடஞ்சார்ந்த தனிமைப்படுத்தப்பட்ட ALD ஆகியவற்றுக்கு இடையேயான ஒப்பீடு ஆகும்.

சமீபத்தில், ஜேர்மன் ஆராய்ச்சி நிறுவனமான ஃபிரான்ஹோஃபர் ஐ.ஐ.எஸ்.பி டான்டலம் கார்பைடு பூச்சு தொழில்நுட்பத்தின் ஆராய்ச்சி மற்றும் வளர்ச்சியில் ஒரு முன்னேற்றத்தை ஏற்படுத்தியுள்ளது, மேலும் சி.வி.டி படிவு தீர்வை விட மிகவும் நெகிழ்வான மற்றும் சுற்றுச்சூழல் நட்பாக இருக்கும் ஒரு தெளிப்பு பூச்சு தீர்வை உருவாக்கியது, மேலும் வணிகமயமாக்கப்பட்டுள்ளது.

விரைவான தொழில்நுட்ப வளர்ச்சியின் சகாப்தத்தில், மேம்பட்ட உற்பத்தி தொழில்நுட்பத்தின் முக்கிய பிரதிநிதியாக 3D அச்சிடுதல், பாரம்பரிய உற்பத்தியின் முகத்தை படிப்படியாக மாற்றுகிறது. தொழில்நுட்பத்தின் தொடர்ச்சியான முதிர்ச்சி மற்றும் செலவுகளைக் குறைப்பதன் மூலம், 3D அச்சிடும் தொழில்நுட்பமானது விண்வெளி, வாகன உற்பத்தி, மருத்துவ உபகரணங்கள் மற்றும் கட்டடக்கலை வடிவமைப்பு போன்ற பல துறைகளில் பரந்த பயன்பாட்டு வாய்ப்புகளைக் காட்டியுள்ளது, மேலும் இந்தத் தொழில்களின் கண்டுபிடிப்பு மற்றும் வளர்ச்சியை ஊக்குவித்துள்ளது.

பல்வேறு குறைக்கடத்தி சாதனங்களின் வளர்ந்து வரும் உற்பத்தியின் தேவைகளை ஒற்றை படிகப் பொருட்கள் மட்டும் பூர்த்தி செய்ய முடியாது. 1959 ஆம் ஆண்டின் இறுதியில், ஒற்றை படிக பொருள் வளர்ச்சி தொழில்நுட்பத்தின் மெல்லிய அடுக்கு - எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி உருவாக்கப்பட்டது.

உயர் வெப்பநிலை, உயர் அதிர்வெண், உயர் சக்தி மற்றும் உயர் மின்னழுத்த சாதனங்களை உருவாக்குவதற்கான சிறந்த பொருட்களில் சிலிக்கான் கார்பைடு ஒன்றாகும். உற்பத்தி செயல்திறனை மேம்படுத்துவதற்கும் செலவுகளைக் குறைப்பதற்கும், பெரிய அளவிலான சிலிக்கான் கார்பைடு அடி மூலக்கூறுகளைத் தயாரிப்பது ஒரு முக்கியமான வளர்ச்சி திசையாகும்.

வெளிநாட்டுச் செய்திகளின்படி, ஜூன் 24 அன்று பைட் டான்ஸ், அமெரிக்க சிப் வடிவமைப்பு நிறுவனமான பிராட்காமுடன் இணைந்து மேம்பட்ட செயற்கை நுண்ணறிவு (AI) கம்ப்யூட்டிங் செயலியை உருவாக்கி வருவதாக இரு ஆதாரங்கள் தெரிவித்தன, இது சீனாவிற்கு இடையே உள்ள பதட்டங்களுக்கு மத்தியில் பைட் டான்ஸ் போதுமான அளவு உயர்தர சில்லுகளை வழங்க உதவுகிறது. மற்றும் அமெரிக்கா.

SiC துறையில் முன்னணி உற்பத்தியாளராக, Sanan Optoelectronics' தொடர்பான இயக்கவியல் தொழில்துறையில் பரவலான கவனத்தைப் பெற்றுள்ளது. சமீபத்தில், சனான் ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக்ஸ், 8 அங்குல மாற்றம், புதிய அடி மூலக்கூறு தொழிற்சாலை உற்பத்தி, புதிய நிறுவனங்களை நிறுவுதல், அரசு மானியங்கள் மற்றும் பிற அம்சங்களை உள்ளடக்கிய சமீபத்திய முன்னேற்றங்களின் வரிசையை வெளிப்படுத்தியது.

உடல் நீராவி போக்குவரத்து (பிரைவேட்) முறையைப் பயன்படுத்தி எஸ்.ஐ.சி மற்றும் ஏ.எல்.என் ஒற்றை படிகங்களின் வளர்ச்சியில், சிலுவை, விதை வைத்திருப்பவர் மற்றும் வழிகாட்டி வளையம் போன்ற முக்கியமான கூறுகள் முக்கிய பங்கு வகிக்கின்றன. படம் 2 [1] இல் சித்தரிக்கப்பட்டுள்ளபடி, பி.வி.டி செயல்பாட்டின் போது, ​​விதை படிகமானது குறைந்த வெப்பநிலை பகுதியில் நிலைநிறுத்தப்படுகிறது, அதே நேரத்தில் எஸ்.ஐ.சி மூலப்பொருள் அதிக வெப்பநிலைக்கு (2400 tove க்கு மேல்) வெளிப்படும்.

சிலிக்கான் கார்பைடு அடி மூலக்கூறுகள் பல குறைபாடுகளைக் கொண்டுள்ளன, மேலும் அவை நேரடியாக செயலாக்க முடியாது. சிப் செதில்களை உருவாக்க ஒரு குறிப்பிட்ட ஒற்றை படிக மெல்லிய படம் ஒரு எபிடாக்சியல் செயல்முறை மூலம் வளர்க்கப்பட வேண்டும். இந்த மெல்லிய படம் எபிடாக்சியல் லேயர். கிட்டத்தட்ட அனைத்து சிலிக்கான் கார்பைடு சாதனங்களும் எபிடாக்சியல் பொருட்களில் உணரப்படுகின்றன. சிலிக்கான் கார்பைடு சாதனங்களின் வளர்ச்சிக்கு உயர்தர சிலிக்கான் கார்பைடு ஒரேவிதமான எபிடாக்சியல் பொருட்கள் அடிப்படையாகும். எபிடாக்சியல் பொருட்களின் செயல்திறன் சிலிக்கான் கார்பைடு சாதனங்களின் செயல்திறனை உணர்ந்து கொள்வதை நேரடியாக தீர்மானிக்கிறது.

சிலிக்கான் கார்பைடு, மின்சாரம் மற்றும் உயர் வெப்பநிலை பயன்பாடுகளுக்காக, அதன் விரிவான பண்புகளுடன், எபிடாக்சியல் அடி மூலக்கூறுகள் முதல் பாதுகாப்பு பூச்சுகள் மற்றும் மின்சார வாகனங்கள் மற்றும் புதுப்பிக்கத்தக்க எரிசக்தி அமைப்புகள் வரை அதன் விரிவான பண்புகளுடன் மறுவடிவமைப்பு செய்கிறது.

உயர் தூய்மை: இரசாயன நீராவி படிவு (CVD) மூலம் வளர்க்கப்படும் சிலிக்கான் எபிடாக்சியல் அடுக்கு பாரம்பரிய செதில்களை விட மிக அதிக தூய்மை, சிறந்த மேற்பரப்பு தட்டை மற்றும் குறைந்த குறைபாடு அடர்த்தி கொண்டது.