Sic ஒற்றை படிக வளர்ச்சி செயல்முறை உதிரி பாகங்கள்

வெட்க்செமிகனின் தயாரிப்பு, திடான்டலம் கார்பைடு (டிஏசி) பூச்சுஎஸ்.ஐ.சி ஒற்றை படிக வளர்ச்சி செயல்முறைக்கான தயாரிப்புகள், சிலிக்கான் கார்பைடு (எஸ்.ஐ.சி) படிகங்களின் வளர்ச்சி இடைமுகத்துடன் தொடர்புடைய சவால்களை எதிர்கொள்கின்றன, குறிப்பாக படிகத்தின் விளிம்பில் நிகழும் விரிவான குறைபாடுகள். TAC பூச்சு பயன்படுத்துவதன் மூலம், படிக வளர்ச்சித் தரத்தை மேம்படுத்துவதையும், படிக மையத்தின் பயனுள்ள பகுதியை அதிகரிப்பதையும் நோக்கமாகக் கொண்டுள்ளோம், இது வேகமான மற்றும் அடர்த்தியான வளர்ச்சியை அடைவதற்கு முக்கியமானது.

TAC பூச்சு என்பது உயர்தர வளர்ப்பதற்கான ஒரு முக்கிய தொழில்நுட்ப தீர்வாகும்Sic ஒற்றை படிக வளர்ச்சி செயல்முறை. வேதியியல் நீராவி படிவு (சி.வி.டி) ஐப் பயன்படுத்தி ஒரு டிஏசி பூச்சு தொழில்நுட்பத்தை வெற்றிகரமாக உருவாக்கியுள்ளோம், இது சர்வதேச அளவில் மேம்பட்ட நிலையை எட்டியுள்ளது. TAC க்கு விதிவிலக்கான பண்புகள் உள்ளன, இதில் 3880 ° C வரை அதிக உருகும் இடம், சிறந்த இயந்திர வலிமை, கடினத்தன்மை மற்றும் வெப்ப அதிர்ச்சி எதிர்ப்பு ஆகியவை அடங்கும். அதிக வெப்பநிலை மற்றும் அம்மோனியா, ஹைட்ரஜன் மற்றும் சிலிக்கான் கொண்ட நீராவி போன்ற பொருட்களுக்கு வெளிப்படும் போது இது நல்ல வேதியியல் செயலற்ற தன்மை மற்றும் வெப்ப நிலைத்தன்மையையும் வெளிப்படுத்துகிறது.

VEKEKECEMON’Sடான்டலம் கார்பைடு (டிஏசி) பூச்சுSIC ஒற்றை படிக வளர்ச்சி செயல்பாட்டில் விளிம்பு தொடர்பான சிக்கல்களை நிவர்த்தி செய்வதற்கான தீர்வை வழங்குகிறது, வளர்ச்சி செயல்முறையின் தரம் மற்றும் செயல்திறனை மேம்படுத்துகிறது. எங்கள் மேம்பட்ட TAC பூச்சு தொழில்நுட்பத்துடன், மூன்றாம் தலைமுறை குறைக்கடத்தி தொழிற்துறையின் வளர்ச்சியை ஆதரிப்பதையும், இறக்குமதி செய்யப்பட்ட முக்கிய பொருட்களைச் சார்ந்திருப்பதைக் குறைப்பதையும் நாங்கள் நோக்கமாகக் கொண்டுள்ளோம்.

பி.வி.டி முறை எஸ்.ஐ.சி ஒற்றை படிக வளர்ச்சி செயல்முறை உதிரி பாகங்கள்:

டிஏசி பூசப்பட்ட சிலுவை, டிஏசி பூச்சு கொண்ட விதை வைத்திருப்பவர், டிஏசி பூச்சு வழிகாட்டி வளையம் எஸ்ஐசி மற்றும் ஏஐஎன் ஒற்றை படிக உலை ஆகியவற்றில் பி.வி.டி முறையால் முக்கியமான பாகங்கள்.

. அதிக வெப்பநிலை எதிர்ப்பு

.  அதிக தூய்மை, SIC மூலப்பொருட்கள் மற்றும் SIC ஒற்றை படிகங்களை மாசுபடுத்தாது.

.  அல் நீராவி மற்றும் n₂corration ஐ எதிர்க்கும்

.  படிக தயாரிப்பு சுழற்சியைக் குறைக்க உயர் யூடெக்டிக் வெப்பநிலை (ALN உடன்).

.  மறுசுழற்சி செய்யக்கூடிய (200 மணி வரை), இது அத்தகைய ஒற்றை படிகங்களைத் தயாரிப்பதன் நிலைத்தன்மையையும் செயல்திறனையும் மேம்படுத்துகிறது.