டான்டலம் கார்பைடு பூசப்பட்ட வழிகாட்டி வளையம்

மூன்றாம் தலைமுறை குறைக்கடத்தி சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC) படிக வளர்ச்சிக்கு அதிக வெப்பநிலை (2000-2200 ° C) தேவைப்படுகிறது மற்றும் Si, C, SiC நீராவி கூறுகளைக் கொண்ட சிக்கலான வளிமண்டலங்களைக் கொண்ட சிறிய அறைகளில் நிகழ்கிறது. அதிக வெப்பநிலையில் உள்ள கிராஃபைட் ஆவியாகும் மற்றும் துகள்கள் படிகத்தின் தரத்தை பாதிக்கலாம், இது கார்பன் சேர்க்கைகள் போன்ற குறைபாடுகளுக்கு வழிவகுக்கும். SiC பூச்சுகளுடன் கூடிய கிராஃபைட் க்ரூசிபிள்கள் எபிடாக்சியல் வளர்ச்சியில் பொதுவானவை, சிலிக்கான் கார்பைடு ஹோமோபிடாக்ஸிக்கு சுமார் 1600 ° C இல், SiC ஆனது கிராஃபைட்டின் மீது அதன் பாதுகாப்பு பண்புகளை இழக்கும் நிலை மாற்றங்களுக்கு உள்ளாகலாம். இந்த சிக்கல்களைத் தணிக்க, டான்டலம் கார்பைடு பூச்சு பயனுள்ளதாக இருக்கும். டான்டலம் கார்பைடு, அதிக உருகுநிலையுடன் (3880°C), சிறந்த உயர் வெப்பநிலை இரசாயன எதிர்ப்பு, அரிப்பு ஆக்சிஜனேற்ற எதிர்ப்பு மற்றும் உயர்ந்த உயர் வெப்பநிலை இயந்திர பண்புகளை வழங்கும், 3000°Cக்கு மேல் நல்ல இயந்திர பண்புகளை பராமரிக்கும் ஒரே பொருளாகும்.

எஸ்.ஐ.சி படிக வளர்ச்சி செயல்பாட்டில், எஸ்.ஐ.சி ஒற்றை படிகத்தின் முக்கிய தயாரிப்பு முறை பி.வி.டி முறை. குறைந்த அழுத்தம் மற்றும் அதிக வெப்பநிலை நிலைமைகளின் கீழ், பெரிய துகள் அளவு (> 200μm) கொண்ட சிலிக்கான் கார்பைடு தூள் பல்வேறு வாயு கட்டப் பொருட்களாக சிதைந்து, பதங்கமடைகிறது, அவை வெப்பநிலை சாய்வு மற்றும் எதிர்வினை மற்றும் வைப்பு ஆகியவற்றின் கீழ் குறைந்த வெப்பநிலையுடன் விதை படிகத்திற்கு கொண்டு செல்லப்படுகின்றன, மற்றும் சிலிக்கான் கார்பைடு ஒற்றை படிகமாக மறுகட்டமைக்கவும். இந்த செயல்பாட்டில், டான்டலம் கார்பைடு பூசப்பட்ட வழிகாட்டி வளையம் மூலப் பகுதிக்கும் வளர்ச்சிப் பகுதிக்கும் இடையிலான வாயு ஓட்டம் நிலையானது மற்றும் சீரானது என்பதை உறுதிப்படுத்த ஒரு முக்கிய பங்கு வகிக்கிறது, இதன் மூலம் படிக வளர்ச்சியின் தரத்தை மேம்படுத்துகிறது மற்றும் சீரற்ற காற்று ஓட்டத்தின் தாக்கத்தை குறைக்கிறது.

பி.வி.டி முறை எஸ்.ஐ.சி ஒற்றை படிக வளர்ச்சியில் டான்டலம் கார்பைடு பூசப்பட்ட வழிகாட்டி வளையத்தின் பங்கு

●  காற்றோட்ட வழிகாட்டுதல் மற்றும் விநியோகம்

TAC பூச்சு வழிகாட்டி வளையத்தின் முக்கிய செயல்பாடு மூல வாயுவின் ஓட்டத்தைக் கட்டுப்படுத்துவதும், வளர்ச்சிப் பகுதி முழுவதும் வாயு ஓட்டம் சமமாக விநியோகிக்கப்படுவதை உறுதி செய்வதும் ஆகும். காற்றோட்டத்தின் பாதையை மேம்படுத்துவதன் மூலம், இது வளர்ச்சிப் பகுதியில் வாயுவை இன்னும் சமமாக டெபாசிட் செய்ய உதவும், இதன் மூலம் SIC ஒற்றை படிகத்தின் அதிக சீரான வளர்ச்சியை உறுதிசெய்து, சீரற்ற காற்றோட்டத்தால் ஏற்படும் குறைபாடுகளைக் குறைக்கிறது. வாயு ஓட்டத்தின் சீருடை ஒரு முக்கியமான காரணியாகும் படிக தரம்.

●  வெப்பநிலை சாய்வு கட்டுப்பாடு

SiC ஒற்றை படிகத்தின் வளர்ச்சி செயல்பாட்டில், வெப்பநிலை சாய்வு மிகவும் முக்கியமானது. TaC பூச்சு வழிகாட்டி வளையம் மூலப் பகுதி மற்றும் வளர்ச்சிப் பகுதியில் வாயு ஓட்டத்தை ஒழுங்குபடுத்த உதவுகிறது, இது மறைமுகமாக வெப்பநிலை விநியோகத்தை பாதிக்கிறது. நிலையான காற்றோட்டமானது வெப்பநிலை புலத்தின் சீரான தன்மைக்கு உதவுகிறது, இதன் மூலம் படிகத்தின் தரத்தை மேம்படுத்துகிறது.

●  எரிவாயு பரிமாற்ற செயல்திறனை மேம்படுத்தவும்

SiC ஒற்றை படிக வளர்ச்சிக்கு மூலப்பொருளின் ஆவியாதல் மற்றும் படிவு ஆகியவற்றின் துல்லியமான கட்டுப்பாடு தேவைப்படுவதால், TaC பூச்சு வழிகாட்டி வளையத்தின் வடிவமைப்பு வாயு பரிமாற்ற செயல்திறனை மேம்படுத்துகிறது, மேலும் மூலப்பொருள் வாயு வளர்ச்சி பகுதிக்கு மிகவும் திறமையாக பாய அனுமதிக்கிறது, வளர்ச்சியை மேம்படுத்துகிறது. ஒற்றை படிகத்தின் விகிதம் மற்றும் தரம்.

VeTek செமிகண்டக்டரின் டான்டலம் கார்பைடு பூசப்பட்ட வழிகாட்டி வளையமானது உயர்தர கிராஃபைட் மற்றும் TaC பூச்சினால் ஆனது. இது வலுவான அரிப்பு எதிர்ப்பு, வலுவான ஆக்ஸிஜனேற்ற எதிர்ப்பு மற்றும் வலுவான இயந்திர வலிமையுடன் நீண்ட சேவை வாழ்க்கை கொண்டது. VeTek செமிகண்டக்டரின் தொழில்நுட்பக் குழு உங்களுக்கு மிகவும் பயனுள்ள தொழில்நுட்ப தீர்வை அடைய உதவும். உங்கள் தேவைகள் என்னவாக இருந்தாலும், VeTek செமிகண்டக்டர் பொருத்தமான தனிப்பயனாக்கப்பட்ட தயாரிப்புகளை வழங்க முடியும் மற்றும் உங்கள் விசாரணையை எதிர்நோக்குகிறது.

TAC பூச்சு இயற்பியல் பண்புகள்

வெடெக் குறைக்கடத்தியின் டான்டலம் கார்பைடு பூசப்பட்ட வழிகாட்டி வளைய தயாரிப்புகள் கடைகள்