க்யு ஆர் குறியீடு

எங்களை பற்றி
தயாரிப்புகள்
எங்களை தொடர்பு கொள்ள
தொலைபேசி
தொலைநகல்
+86-579-87223657
மின்னஞ்சல்
முகவரி
வாங்டா சாலை, ஜியாங் தெரு, வுய் கவுண்டி, ஜின்ஹுவா சிட்டி, ஜெஜியாங் மாகாணம், சீனா
உயர்தர சிலிக்கான் கார்பைடு எபிடாக்ஸி தயாரிப்பது மேம்பட்ட தொழில்நுட்பம் மற்றும் உபகரணங்கள் மற்றும் உபகரணங்கள் பாகங்கள் ஆகியவற்றைப் பொறுத்தது. தற்போது, மிகவும் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படும் சிலிக்கான் கார்பைடு எபிடாக்ஸி வளர்ச்சி முறை வேதியியல் நீராவி படிவு (சி.வி.டி) ஆகும். இது எபிடாக்சியல் திரைப்பட தடிமன் மற்றும் ஊக்கமருந்து செறிவு, குறைவான குறைபாடுகள், மிதமான வளர்ச்சி விகிதம், தானியங்கி செயல்முறை கட்டுப்பாடு போன்றவற்றின் துல்லியமான கட்டுப்பாட்டின் நன்மைகளைக் கொண்டுள்ளது, மேலும் இது வணிக ரீதியாக வெற்றிகரமாக பயன்படுத்தப்பட்ட நம்பகமான தொழில்நுட்பமாகும்.
சிலிக்கான் கார்பைடு சி.வி.டி எபிடாக்ஸி பொதுவாக சூடான சுவர் அல்லது சூடான சுவர் சி.வி.டி கருவிகளை ஏற்றுக்கொள்கிறது, இது அதிக வளர்ச்சி வெப்பநிலை நிலைமைகளின் கீழ் (1500 ~ 1700 ℃) எபிடாக்ஸி லேயர் 4 எச் படிக எஸ்.ஐ.சி, பல ஆண்டுகளுக்குப் பிறகு சூடான சுவர் அல்லது சூடான சுவர் சி.வி.டி ஆகியவற்றின் கீழ் தொடர்ச்சியை உறுதி செய்கிறது, இது காற்று ஓட்டம் திசை மற்றும் மூலக்கூறு கட்டமைப்பு எதிர்வினைக்கு இடையேயான எதிர்விளைவுக்கு இடையிலான உறவின் படி.
எஸ்.ஐ.சி எபிடாக்சியல் உலையின் தரத்திற்கு மூன்று முக்கிய குறிகாட்டிகள் உள்ளன, முதலாவது தடிமன் சீரான தன்மை, ஊக்கமருந்து சீரான தன்மை, குறைபாடு வீதம் மற்றும் வளர்ச்சி விகிதம் உள்ளிட்ட எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி செயல்திறன்; இரண்டாவது வெப்பநிலை/குளிரூட்டும் வீதம், அதிகபட்ச வெப்பநிலை, வெப்பநிலை சீரான தன்மை உள்ளிட்ட சாதனங்களின் வெப்பநிலை செயல்திறன்; இறுதியாக, ஒரு யூனிட்டின் விலை மற்றும் திறன் உட்பட சாதனங்களின் செலவு செயல்திறன்.
சூடான சுவர் கிடைமட்ட சி.வி.டி (எல்.பி.இ நிறுவனத்தின் வழக்கமான மாதிரி PE1O6), சூடான சுவர் கிரக சி.வி.டி (வழக்கமான மாடல் Aixtron G5WWC/G10) மற்றும் அரை-சூடான சுவர் CVD (நுஃப்லேர் நிறுவனத்தின் EPIREVOS6 ஆல் குறிப்பிடப்படுகிறது) ஆகியவை இந்த வணிக ரீதியான நிறுவனங்களில் மெயின்ஸ்ட்ரீம் எபிடாக்சியல் உபகரணங்கள் தொழில்நுட்ப தீர்வுகள் ஆகும். மூன்று தொழில்நுட்ப சாதனங்களும் அவற்றின் சொந்த குணாதிசயங்களைக் கொண்டுள்ளன, மேலும் தேவைக்கு ஏற்ப தேர்ந்தெடுக்கப்படலாம். அவற்றின் அமைப்பு பின்வருமாறு காட்டப்பட்டுள்ளது:
கீழ்நிலை காப்பு
பிரதான காப்பு மேல்
மேல் அரைமூன்
அப்ஸ்ட்ரீம் காப்பு
மாற்றம் துண்டு 2
மாற்றம் துண்டு 1
வெளிப்புற காற்று முனை
குறுகலான ஸ்நோர்கெல்
வெளிப்புற ஆர்கான் வாயு முனை
ஆர்கான் வாயு முனை
செதில் ஆதரவு தட்டு
மையப்படுத்தும் முள்
மைய காவலர்
கீழ்நிலை இடது பாதுகாப்பு அட்டை
கீழ்நிலை வலது பாதுகாப்பு கவர்
அப்ஸ்ட்ரீம் இடது பாதுகாப்பு அட்டை
அப்ஸ்ட்ரீம் வலது பாதுகாப்பு கவர்
பக்க சுவர்
கிராஃபைட் வளையம்
பாதுகாப்பு உணர்ந்தது
துணை உணர்ந்தது
தொடர்பு தொகுதி
எரிவாயு கடையின் சிலிண்டர்
SIC பூச்சு கிரக வட்டு மற்றும் TAC பூசப்பட்ட கிரக வட்டு
நுஃப்லேர் (ஜப்பான்): இந்த நிறுவனம் இரட்டை அறை செங்குத்து உலைகளை வழங்குகிறது, இது உற்பத்தி விளைச்சலுக்கு பங்களிக்கிறது. உபகரணங்கள் நிமிடத்திற்கு 1000 புரட்சிகள் வரை அதிவேக சுழற்சியைக் கொண்டுள்ளன, இது எபிடாக்சியல் சீரான தன்மைக்கு மிகவும் பயனளிக்கிறது. கூடுதலாக, அதன் காற்றோட்ட திசை மற்ற உபகரணங்களிலிருந்து வேறுபடுகிறது, செங்குத்தாக கீழ்நோக்கி உள்ளது, இதனால் துகள்களின் தலைமுறையை குறைக்கிறது மற்றும் துகள் நீர்த்துளிகளின் நிகழ்தகவைக் குறைக்கிறது. இந்த கருவிக்கு முக்கிய SIC பூசப்பட்ட கிராஃபைட் கூறுகளை நாங்கள் வழங்குகிறோம்.
எஸ்.ஐ.சி எபிடாக்சியல் கருவி கூறுகளின் சப்ளையராக, எஸ்.ஐ.சி எபிடாக்ஸியை வெற்றிகரமாக செயல்படுத்துவதற்கு ஆதரவாக வாடிக்கையாளர்களுக்கு உயர்தர பூச்சு கூறுகளை வழங்க வெடெக் குறைக்கடத்தி உறுதிபூண்டுள்ளது.
Veteksemicon silicon carbide epitaxy is your advanced procurement option for producing high-performance 4H-SiC and 6H-SiC epitaxial layers used in wide bandgap semiconductor devices. SiC epitaxy enables the formation of defect-controlled, dopant-engineered epitaxial layers critical for high-power, high-frequency, and high-temperature electronic devices.
Our offering includes specialized components such as SiC epitaxial susceptors, SiC-coated wafer holders, and epitaxy process rings, tailored for use in horizontal and vertical MOCVD and CVD reactors, including platforms by Veeco, Aixtron, and LPE. Veteksemicon’s parts are coated with high-purity CVD SiC, ensuring chemical compatibility, temperature uniformity, and minimal contamination during epitaxial layer growth.
Silicon carbide epitaxy is essential for fabricating power MOSFETs, IGBTs, and RF components, particularly in automotive, energy, and aerospace applications. The epitaxial process requires extremely precise control over doping concentration, layer thickness, and crystallographic orientation, which is why substrate compatibility and thermal stability of reactor parts are critical.
Relevant terms in this category include 4H-SiC epitaxial wafer, low-defect-density epitaxy, SiC epi-ready substrates, and wide bandgap semiconductors. Veteksemicon supports both research-scale and volume production needs with stable, repeatable, and thermally robust component solutions.
To learn more about our silicon carbide epitaxy support materials, visit the Veteksemicon product detail page or contact us for detailed specifications and engineering support.
+86-579-87223657
வாங்டா சாலை, ஜியாங் தெரு, வுய் கவுண்டி, ஜின்ஹுவா சிட்டி, ஜெஜியாங் மாகாணம், சீனா
பதிப்புரிமை © 2024 வெடெக் செமிகண்டக்டர் டெக்னாலஜி கோ., லிமிடெட். அனைத்து உரிமைகளும் பாதுகாக்கப்பட்டவை.
Links | Sitemap | RSS | XML | Privacy Policy |