MOCVD SIC பூச்சு SUSSCECTOR

வெடெக் செமிகண்டக்டர் MOCVD SIC பூச்சு சசெப்டர் உயர்தரத்தால் ஆனதுகிராஃபைட், இது அதன் வெப்ப நிலைத்தன்மை மற்றும் சிறந்த வெப்ப கடத்துத்திறன் (சுமார் 120-150 W/m · K) க்கு தேர்ந்தெடுக்கப்படுகிறது. கிராஃபைட்டின் உள்ளார்ந்த பண்புகள் உள்ளே இருக்கும் கடுமையான நிலைமைகளைத் தாங்க ஒரு சிறந்த பொருளாக அமைகின்றனMOCVD உலைகள். அதன் செயல்திறனை மேம்படுத்தவும், அதன் சேவை ஆயுளை நீட்டிக்கவும், கிராஃபைட் சசெப்டர் சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC) அடுக்குடன் கவனமாக பூசப்படுகிறது.

MOCVD SIC பூச்சு Susscector என்பது ஒரு முக்கிய அங்கமாகும்இரசாயன நீராவி படிவு (CVD)மற்றும்உலோக கரிம வேதியியல் நீராவி படிவு (MOCVD) செயல்முறைகள். சிலிக்கான் அல்லது சிலிக்கான் கார்பைடு (SiC) செதில்களை ஆதரித்து வெப்பப்படுத்துவதும், அதிக வெப்பநிலை சூழலில் சீரான வாயு படிவதை உறுதி செய்வதும் இதன் முக்கிய செயல்பாடு ஆகும். குறைக்கடத்தி செயலாக்கத்தில் இது ஒரு தவிர்க்க முடியாத தயாரிப்பு ஆகும்.

குறைக்கடத்தி செயலாக்கத்தில் MOCVD SIC பூச்சு Susscector இன் பயன்பாடுகள்:

செதில் ஆதரவு மற்றும் வெப்பமாக்கல்:

MOCVD SiC பூச்சு சஸ்பெப்டர் ஒரு சக்திவாய்ந்த ஆதரவு செயல்பாட்டைக் கொண்டிருப்பது மட்டுமல்லாமல், திறம்பட வெப்பப்படுத்தவும் முடியும்.செதில்வேதியியல் நீராவி படிவு செயல்முறையின் ஸ்திரத்தன்மையை உறுதிப்படுத்த சமமாக. படிவு செயல்பாட்டின் போது, ​​எஸ்.ஐ.சி பூச்சுகளின் அதிக வெப்ப கடத்துத்திறன் செதிலின் ஒவ்வொரு பகுதிக்கும் வெப்ப ஆற்றலை விரைவாக மாற்றலாம், உள்ளூர் வெப்பமயமாக்கல் அல்லது போதுமான வெப்பநிலையைத் தவிர்க்கிறது, இதன் மூலம் வேதியியல் வாயுவை செதில் மேற்பரப்பில் சமமாக டெபாசிட் செய்ய முடியும் என்பதை உறுதிசெய்கிறது. இந்த சீரான வெப்பமாக்கல் மற்றும் படிவு விளைவு செதில் செயலாக்கத்தின் நிலைத்தன்மையை பெரிதும் மேம்படுத்துகிறது, இது ஒவ்வொரு செதில் சீருடையின் மேற்பரப்பு பட தடிமன் மற்றும் குறைபாடு வீதத்தைக் குறைக்கிறது, மேலும் உற்பத்தி மகசூல் மற்றும் குறைக்கடத்தி சாதனங்களின் செயல்திறன் நம்பகத்தன்மையை மேலும் மேம்படுத்துகிறது.

எபிடாக்ஸி வளர்ச்சி:

இல்MOCVD செயல்முறை, SIC பூசப்பட்ட கேரியர்கள் எபிடாக்ஸி வளர்ச்சி செயல்பாட்டில் முக்கிய கூறுகள். சிலிக்கான் மற்றும் சிலிக்கான் கார்பைடு செதில்களை ஆதரிப்பதற்கும் வெப்பப்படுத்துவதற்கும் அவை குறிப்பாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன, வேதியியல் நீராவி கட்டத்தில் உள்ள பொருட்கள் ஒரே மாதிரியாகவும், செதில் மேற்பரப்பில் துல்லியமாகவும் டெபாசிட் செய்யப்படலாம் என்பதை உறுதிசெய்கிறது, இதன் மூலம் உயர்தர, குறைபாடு இல்லாத மெல்லிய திரைப்பட கட்டமைப்புகளை உருவாக்குகிறது. SIC பூச்சுகள் அதிக வெப்பநிலையை எதிர்ப்பது மட்டுமல்லாமல், மாசுபாடு மற்றும் அரிப்பைத் தவிர்ப்பதற்காக சிக்கலான செயல்முறை சூழல்களில் வேதியியல் நிலைத்தன்மையையும் பராமரிக்கின்றன. ஆகையால், எஸ்.ஐ.சி மின் சாதனங்கள் (எஸ்.ஐ.சி மோஸ்ஃபெட்டுகள் மற்றும் டையோட்கள் போன்றவை), எல்.ஈ.

காலியம் நைட்ரைடு (GaN)மற்றும் காலியம் ஆர்சனைடு (GaAs) Epitaxy:

SIC பூசப்பட்ட கேரியர்கள் GAN மற்றும் GAAS எபிடாக்சியல் அடுக்குகளின் வளர்ச்சிக்கு அவற்றின் சிறந்த வெப்ப கடத்துத்திறன் மற்றும் குறைந்த வெப்ப விரிவாக்க குணகம் காரணமாக ஒரு இன்றியமையாத தேர்வாகும். அவற்றின் திறமையான வெப்ப கடத்துத்திறன் எபிடாக்சியல் வளர்ச்சியின் போது வெப்பத்தை சமமாக விநியோகிக்க முடியும், இது டெபாசிட் செய்யப்பட்ட பொருளின் ஒவ்வொரு அடுக்கையும் கட்டுப்படுத்தப்பட்ட வெப்பநிலையில் ஒரே மாதிரியாக வளர முடியும் என்பதை உறுதி செய்கிறது. அதே நேரத்தில், SIC இன் குறைந்த வெப்ப விரிவாக்கம் தீவிர வெப்பநிலை மாற்றங்களின் கீழ் பரிமாணமாக நிலையானதாக இருக்க அனுமதிக்கிறது, இது செதில் சிதைவின் அபாயத்தை திறம்பட குறைக்கிறது, இதன் மூலம் எபிடாக்சியல் அடுக்கின் உயர் தரம் மற்றும் நிலைத்தன்மையை உறுதி செய்கிறது. இந்த அம்சம் SIC- பூசப்பட்ட கேரியர்களை உயர் அதிர்வெண், அதிக சக்தி கொண்ட மின்னணு சாதனங்கள் (GAN HEMT சாதனங்கள் போன்றவை) மற்றும் ஆப்டிகல் கம்யூனிகேஷன்ஸ் மற்றும் ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக் சாதனங்கள் (GAAS- அடிப்படையிலான ஒளிக்கதிர்கள் மற்றும் கண்டுபிடிப்பாளர்கள் போன்றவை) உற்பத்தி செய்வதற்கான சிறந்த தேர்வாக அமைகிறது.

இது குறைக்கடத்திMOCVD SiC பூச்சு சஸ்பெக்டர் கடைகள்: