CVD SiC பூச்சு முனை

VeTek செமிகண்டக்டர் என்பது CVD SiC கோட்டிங் ஹாஃப்மூன் பாகங்கள் மற்றும் அதன் துணை CVD SiC கோட்டிங் Nozzels போன்ற எபிடாக்சியல் சாதனங்களுக்கான CVD SiC பூச்சு துணைக்கருவிகளின் சிறப்பு உற்பத்தியாளர் ஆகும். எங்களை விசாரிக்க வரவேற்கிறோம்.

PE1O8 என்பது முற்றிலும் தானியங்கி கார்ட்ரிட்ஜ்கள் முதல் கார்ட்ரிட்ஜ்கள் வரை கையாள வடிவமைக்கப்பட்ட அமைப்பு ஆகும்Sic செதில்கள்200 மிமீ வரை. வடிவமைப்பை 150 முதல் 200 மிமீ வரை மாற்றலாம், இது கருவி வேலையில்லா நேரத்தைக் குறைக்கிறது. வெப்ப நிலைகளின் குறைப்பு உற்பத்தித்திறனை அதிகரிக்கிறது, அதே நேரத்தில் ஆட்டோமேஷன் உழைப்பைக் குறைக்கிறது மற்றும் தரம் மற்றும் மீண்டும் மீண்டும் தன்மையை மேம்படுத்துகிறது. திறமையான மற்றும் செலவு-போட்டி எபிடாக்ஸி செயல்முறையை உறுதிப்படுத்த, மூன்று முக்கிய காரணிகள் தெரிவிக்கப்படுகின்றன: 

● வேகமான செயல்முறை;

The தடிமன் மற்றும் ஊக்கமருந்து அதிக சீரான தன்மை;

Ep எபிடாக்ஸி செயல்பாட்டின் போது குறைபாடு உருவாவதைக் குறைத்தல். 

PE1O8 இல், சிறிய கிராஃபைட் நிறை மற்றும் தானியங்கி சுமை/இறக்குதல் அமைப்பு 75 நிமிடங்களுக்குள் ஒரு நிலையான ஓட்டத்தை முடிக்க அனுமதிக்கிறது (நிலையான 10μm ஸ்காட்கி டையோடு உருவாக்கம் 30μm/h வளர்ச்சி விகிதத்தைப் பயன்படுத்துகிறது). தானியங்கி அமைப்பு அதிக வெப்பநிலையில் ஏற்ற/இறக்க அனுமதிக்கிறது. இதன் விளைவாக, வெப்பம் மற்றும் குளிரூட்டும் நேரங்கள் குறுகியவை, அதே நேரத்தில் பேக்கிங் படி தடுக்கப்பட்டுள்ளது. இந்த சிறந்த நிலை உண்மையான திறக்கப்படாத பொருட்களின் வளர்ச்சியை அனுமதிக்கிறது.

சிலிக்கான் கார்பைடு எபிடாக்ஸியின் செயல்பாட்டில், எபிடாக்சியல் அடுக்குகளின் வளர்ச்சி மற்றும் தரத்தில் CVD SiC பூச்சு முனைகள் முக்கிய பங்கு வகிக்கின்றன. முனைகளின் பங்கின் விரிவாக்கப்பட்ட விளக்கம் இங்கேசிலிக்கான் கார்பைடு எபிடாக்ஸி:

Gos எரிவாயு வழங்கல் மற்றும் கட்டுப்பாடு: சிலிக்கான் மூல வாயு மற்றும் கார்பன் மூல வாயு உட்பட எபிடாக்ஸியின் போது தேவைப்படும் வாயு கலவையை வழங்க முனைகள் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. முனைகள் மூலம், வாயு ஓட்டம் மற்றும் விகிதங்கள் எபிடாக்சியல் அடுக்கின் சீரான வளர்ச்சி மற்றும் விரும்பிய இரசாயன கலவையை உறுதி செய்ய துல்லியமாக கட்டுப்படுத்தப்படும்.

● வெப்பநிலை கட்டுப்பாடு: முனைகள் எபிடாக்ஸி அணு உலைக்குள் வெப்பநிலையைக் கட்டுப்படுத்தவும் உதவுகின்றன. சிலிக்கான் கார்பைடு எபிடாக்ஸியில், வெப்பநிலை வளர்ச்சி விகிதம் மற்றும் படிக தரத்தை பாதிக்கும் ஒரு முக்கிய காரணியாகும். முனைகள் மூலம் வெப்பம் அல்லது குளிரூட்டும் வாயுவை வழங்குவதன் மூலம், எபிடாக்சியல் அடுக்கின் வளர்ச்சி வெப்பநிலையை உகந்த வளர்ச்சி நிலைமைகளுக்கு சரிசெய்யலாம்.

● எரிவாயு ஓட்டம் விநியோகம்: முனைகளின் வடிவமைப்பு உலைக்குள் வாயுவின் சீரான விநியோகத்தை பாதிக்கிறது. சீரான வாயு ஓட்டம் விநியோகம் எபிடாக்சியல் லேயரின் சீரான தன்மையையும் சீரான தடிமத்தையும் உறுதி செய்கிறது, இது பொருள் தரமான சீரான தன்மை தொடர்பான சிக்கல்களைத் தவிர்க்கிறது.

● தூய்மையற்ற மாசுபாட்டைத் தடுத்தல்: சரியான வடிவமைப்பு மற்றும் முனைகளின் பயன்பாடு எபிடாக்ஸி செயல்பாட்டின் போது தூய்மையற்ற மாசுபாட்டைத் தடுக்க உதவும். பொருத்தமான முனை வடிவமைப்பு அணு உலைக்குள் நுழையும் வெளிப்புற அசுத்தங்களின் வாய்ப்பைக் குறைக்கிறது, எபிடாக்சியல் அடுக்கின் தூய்மை மற்றும் தரத்தை உறுதி செய்கிறது.

CVD SIC கோட்டிங் ஃபிலிம் கிரிஸ்டல் அமைப்பு:

சி.வி.டி எஸ்.ஐ.சி பூச்சுகளின் அடிப்படை இயற்பியல் பண்புகள்: