சி.வி.டி எஸ்.ஐ.சி பூசப்பட்ட பீப்பாய் சசெப்டர்

வெடெக் செமிகண்டக்டர் சி.வி.டி எஸ்.ஐ.சி பூசப்பட்ட பீப்பாய் சசெப்டர் குறைக்கடத்தி உற்பத்தியில் எபிடாக்சியல் செயல்முறைகளுக்கு வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது மற்றும் தயாரிப்பு தரம் மற்றும் விளைச்சலை மேம்படுத்துவதற்கான சிறந்த தேர்வாகும். இந்த எஸ்.ஐ.சி பூச்சு கிராஃபைட் சசெப்டர் தளம் ஒரு திட கிராஃபைட் கட்டமைப்பை ஏற்றுக்கொள்கிறது மற்றும் சி.வி.டி செயல்முறையால் ஒரு எஸ்.ஐ.சி அடுக்குடன் துல்லியமாக பூசப்படுகிறது, இது சிறந்த வெப்ப கடத்துத்திறன், அரிப்பு எதிர்ப்பு மற்றும் உயர் வெப்பநிலை எதிர்ப்பைக் கொண்டிருக்கிறது, மேலும் எபிடாக்சியல் வளர்ச்சியின் போது கடுமையான சூழலை திறம்பட சமாளிக்க முடியும்.

தயாரிப்பு பொருள் மற்றும் கட்டமைப்பு

சி.வி.டி எஸ்.ஐ.சி பீப்பாய் சசெப்டர் என்பது ஒரு கிராஃபைட் மேட்ரிக்ஸின் மேற்பரப்பில் சிலிக்கான் கார்பைடு (எஸ்.ஐ.சி) பூசுவதன் மூலம் உருவாகும் ஒரு பார்க் வடிவ ஆதரவு அங்கமாகும், இது முக்கியமாக சி.வி.டி/எம்.ஓ.சி.வி.டி கருவிகளில் அடி மூலக்கூறுகளை (எஸ்.ஐ., எஸ்.ஐ.சி, கான் வேஃபர்ஸ் போன்றவை) எடுத்துச் செல்லவும் உயர் வெப்பநிலையில் ஒரு சீரான வெப்பத் துறையை வழங்கவும் பயன்படுத்தப்படுகிறது.

காற்றோட்டம் விநியோகம் மற்றும் வெப்ப புலம் சீரான தன்மையை மேம்படுத்துவதன் மூலம் எபிடாக்சியல் லேயர் வளர்ச்சி செயல்திறனை மேம்படுத்த பல செதில்களை ஒரே நேரத்தில் செயலாக்குவதற்கு பீப்பாய் அமைப்பு பெரும்பாலும் பயன்படுத்தப்படுகிறது. வடிவமைப்பு வாயு ஓட்ட பாதை மற்றும் வெப்பநிலை சாய்வு ஆகியவற்றின் கட்டுப்பாட்டை கணக்கில் எடுத்துக்கொள்ள வேண்டும்.

முக்கிய செயல்பாடுகள் மற்றும் தொழில்நுட்ப அளவுருக்கள்

வெப்ப நிலைத்தன்மை: சிதைவு அல்லது வெப்ப அழுத்த விரிசலைத் தவிர்ப்பதற்காக 1200 ° C இன் உயர் வெப்பநிலை சூழலில் கட்டமைப்பு நிலைத்தன்மையை பராமரிப்பது அவசியம்.

வேதியியல் செயலற்ற தன்மை: SIC பூச்சு அரிக்கும் வாயுக்கள் (H₂, HCl போன்றவை) மற்றும் உலோக கரிம எச்சங்களின் அரிப்பை எதிர்க்க வேண்டும்.

வெப்ப சீரான தன்மை: எபிடாக்சியல் அடுக்கு தடிமன் மற்றும் ஊக்கமருந்து சீரான தன்மையை உறுதிப்படுத்த வெப்பநிலை விநியோக விலகல் ± 1% க்குள் கட்டுப்படுத்தப்பட வேண்டும்.

பூச்சு தொழில்நுட்ப தேவைகள்

அடர்த்தி: மேட்ரிக்ஸ் அரிப்புக்கு வழிவகுக்கும் வாயு ஊடுருவலைத் தடுக்க கிராஃபைட் மேட்ரிக்ஸை முழுமையாக மறைக்கவும்.

பிணைப்பு வலிமை: பூச்சு உரிப்பதைத் தவிர்க்க உயர் வெப்பநிலை சுழற்சி சோதனையை கடக்க வேண்டும்.

பொருட்கள் மற்றும் உற்பத்தி செயல்முறைகள்

பூச்சு பொருள் தேர்வு

3C-SIC (β-SIC): அதன் வெப்ப விரிவாக்க குணகம் கிராஃபைட்டுக்கு (4.5 × 10⁻⁶/℃) நெருக்கமாக இருப்பதால், இது அதிக வெப்ப கடத்துத்திறன் மற்றும் வெப்ப அதிர்ச்சி எதிர்ப்பைக் கொண்ட பிரதான பூச்சுப் பொருளாக மாறியுள்ளது.

மாற்று: TAC பூச்சு வண்டல் மாசுபாட்டைக் குறைக்கும், ஆனால் செயல்முறை சிக்கலானது மற்றும் விலை உயர்ந்தது.

பூச்சு தயாரிப்பு முறை

வேதியியல் நீராவி படிவு (சி.வி.டி): வாயு எதிர்வினை மூலம் கிராஃபைட் மேற்பரப்புகளில் SIC ஐ டெபாசிட் செய்யும் ஒரு முக்கிய நுட்பம். பூச்சு அடர்த்தியானது மற்றும் வலுவாக பிணைக்கிறது, ஆனால் நீண்ட நேரம் எடுக்கும் மற்றும் நச்சு வாயுக்களுக்கு சிகிச்சை தேவைப்படுகிறது (SIH₄ போன்றவை).

உட்பொதித்தல் முறை: செயல்முறை எளிதானது, ஆனால் பூச்சு சீரான தன்மை மோசமாக உள்ளது, மேலும் அடர்த்தியை மேம்படுத்த அடுத்தடுத்த சிகிச்சை தேவைப்படுகிறது.

சந்தை நிலை மற்றும் உள்ளூர்மயமாக்கல் முன்னேற்றம்

சர்வதேச ஏகபோகம்

டச்சு xycard, ஜெர்மனியின் எஸ்ஜிஎல், ஜப்பானின் டொயோ கார்பன் மற்றும் பிற நிறுவனங்கள் உலகளாவிய பங்கில் 90% க்கும் அதிகமாக ஆக்கிரமித்து, உயர்நிலை சந்தையை வழிநடத்துகின்றன.

உள்நாட்டு தொழில்நுட்ப முன்னேற்றம்

பூச்சு தொழில்நுட்பத்தில் சர்வதேச தரத்திற்கு ஏற்ப செமிக்லாப் உள்ளது மற்றும் பூச்சு விழுவதைத் தடுக்க புதிய தொழில்நுட்பங்களை உருவாக்கியுள்ளது.

கிராஃபைட் பொருளில், எஸ்.ஜி.எல், டோயோ மற்றும் பலவற்றோடு எங்களுக்கு ஆழ்ந்த ஒத்துழைப்பு உள்ளது.

வழக்கமான பயன்பாட்டு வழக்கு

கன் எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி

NH₃ மற்றும் TMGA வளிமண்டலங்களை தாங்கும் வகையில் LED மற்றும் RF சாதனங்களின் (HEMTS போன்றவை) GAN திரைப்பட படிவு செய்வதற்காக MOCVD கருவிகளில் சபையர் அடி மூலக்கூறைக் கொண்டு செல்லுங்கள்.

SIC சக்தி சாதனம்

கடத்தும் எஸ்.ஐ.சி அடி மூலக்கூறு, எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி எஸ்.ஐ.சி லேயரை மோஸ்ஃபெட்டுகள் மற்றும் எஸ்.பி.டி போன்ற உயர் மின்னழுத்த சாதனங்களை உற்பத்தி செய்வதற்கான 500 சுழற்சிகளுக்கு மேல் அடிப்படை வாழ்க்கை தேவைப்படுகிறது.

சி.வி.டி எஸ்.ஐ.சி பூச்சு திரைப்பட படிக கட்டமைப்பின் SEM தரவு:

சி.வி.டி எஸ்.ஐ.சி பூச்சுகளின் அடிப்படை இயற்பியல் பண்புகள்:

இது குறைக்கடத்தி சி.வி.டி எஸ்.ஐ.சி பூசப்பட்ட பீப்பாய் சசெப்டர் கடைகள்: