முக்கிய முடிவு:சரியான CVD SiC, TaC பூச்சு அல்லது Solid SiC ஐத் தேர்ந்தெடுப்பது எபிடாக்ஸி/எட்ச்சிங் கோடுகளில் துகள் அளவுகள் மற்றும் கூறுகளின் ஆயுட்காலத்தை நேரடியாக தீர்மானிக்கிறது. இந்தக் கட்டுரையானது வெப்பநிலை, வளிமண்டலம் மற்றும் செயல்முறை ஆகியவற்றின் அடிப்படையில் தெளிவான தேர்வு எல்லைகளை வழங்குகிறது, முக்கிய உபகரண மாற்று தீர்வுகள் மற்றும் முக்கிய அளவீடுகளுடன் பொருந்துகிறது, இது விரைவான முடிவுகளை எடுக்கவும் ஆபத்தை குறைக்கவும் உதவுகிறது.

GaN MOCVD செயல்முறைகளில், கிராஃபைட்-அடிப்படையிலான SiC-பூசப்பட்ட சஸ்செப்டர்கள் பொதுவாக NH₃/H₂ வளிமண்டலத்தின் கீழ் 1100°C வெப்பநிலையில் நூற்றுக்கணக்கான மணிநேரங்களுக்கு நிலையாக செயல்பட முடியும்; இருப்பினும், வெப்பப் புலம் சீராக இல்லாததால், விளிம்பு மற்றும் மையப் பகுதிகளுக்கு இடையே பூச்சு வாழ்நாள் வேறுபாடுகள் 50% ஐ விட அதிகமாக இருக்கலாம். SiC PVT படிக வளர்ச்சி செயல்முறைகளில், வெப்பநிலை 1600 ° C ஐத் தாண்டும்போது, ​​SiC பூச்சு கம்பீரமாக மற்றும் சிதையத் தொடங்குகிறது, TaC பூச்சு அல்லது திட SiC தீர்வுகளுக்கு மாற வேண்டும். தவறான கூறு பொருளைத் தேர்ந்தெடுப்பதன் விளைவுகள் - சிறந்தது, ஒவ்வொரு 2-3 மாதங்களுக்கும் நுகர்பொருட்களை மாற்றுவது; மோசமான நிலையில், துகள் மாசுபாட்டின் காரணமாக செதில்களின் முழு உலையின் ஸ்கிராப். இந்தக் கட்டுரை VeTek செமிகண்டக்டர் தொழில்நுட்பக் குழுவால் எழுதப்பட்டது (டாக்டர். சியாவோவின் வழிகாட்டுதலின் கீழ்), எபிடாக்ஸி/எட்ச்சிங்/PVT இன்ஜினியர்களுக்கான "உபகரண மாதிரி → செயல்முறை நிலைமைகள் → ஆயுட்கால எதிர்பார்ப்பு" என்ற முறையான முடிவெடுக்கும் கட்டமைப்பை நிறுவுவதை நோக்கமாகக் கொண்டுள்ளது, இது உங்களுக்கு விரைவாகப் பொருந்தக்கூடிய பொருட்கள், துகள்கள் மற்றும் கட்டுப்பாட்டுத் துகள்கள் ஆகியவற்றைப் பொருத்த உதவுகிறது.

1. செயல்முறை நிபந்தனைகளின் அடிப்படையில் SiC பூச்சு, TaC பூச்சு அல்லது திட SiC ஐ எவ்வாறு தேர்ந்தெடுப்பது?

முக்கிய முடிவு:"வெப்பநிலை → வளிமண்டலம் → செயல்முறை வகை" என்ற மூன்று பரிமாணங்களில் முடிவு செய்யுங்கள்: ≤1600°C இல் CVD SiC பூச்சுக்கு முன்னுரிமை கொடுங்கள்; >2000°C அல்லது வலுவாக அரிக்கும் வளிமண்டலங்களுக்கு TaCஐத் தேர்ந்தெடுக்கவும்; பொறித்தல் மற்றும் அதி-உயர் தூய்மைக் காட்சிகளுக்கு Solid SiCக்கு முன்னுரிமை கொடுங்கள்.

உண்மையான உற்பத்தி வரித் தேர்வுகளைச் செய்யும்போது, ​​பொறியாளர்கள் அடிக்கடி கேட்கிறார்கள்: “எனது Aixtron/Veeco உபகரணங்களுக்கு, GaN அல்லது SiC epitaxy இயங்குகிறது, எந்த வெப்பநிலையில் எந்த வளிமண்டலத்தில், எந்த பூச்சு பயன்படுத்த வேண்டும்?” பதில் சிக்கலானது அல்ல, ஆனால் மூன்று பரிமாணங்களும் ஒன்றாக இணைக்கப்பட வேண்டும்.

வெப்பநிலை சாளரம் முதல் வாசல்

CVD SiC பூச்சு தோராயமாக 2000-2100°Cக்குக் கீழே கட்டமைப்பு ஒருமைப்பாட்டை இன்னும் பராமரிக்க முடியும். இந்த வரம்பிற்கு அப்பால், பொருந்தாத ஆவியாதல் (முன்னுரிமை சிலிக்கான் ஆவியாகும்) ஏற்படுகிறது, இது மேற்பரப்பு கடினப்படுத்துதல் மற்றும் அதிகரித்த துகள்களுக்கு வழிவகுக்கிறது. TaC பூச்சு 3880 டிகிரி செல்சியஸ் வரை உருகும் புள்ளியைக் கொண்டுள்ளது மற்றும் 2400 ° C க்கு மேல் PVT படிக வளர்ச்சி சூழலில் கூட மிகக் குறைந்த நீராவி அழுத்தத்தை பராமரிக்க முடியும். Solid SiC இல் பூச்சு-அடி மூலக்கூறு இடைமுக சிக்கல்கள் இல்லை மற்றும் மீண்டும் மீண்டும் வெப்ப அதிர்ச்சிக்கு உட்பட்ட அறை கூறுகளை பொறிப்பதற்கு ஏற்றது.

வளிமண்டலம் மற்றும் அரிக்கும் தன்மை பூச்சு இரசாயன நிலைத்தன்மையை தீர்மானிக்கிறது

NH₃, H₂ அல்லது குளோரின் அடிப்படையிலான வாயுக்கள் உள்ள சூழலில், SiC பூச்சு நன்றாகச் செயல்படுகிறது, ஆனால் உயர் வெப்பநிலை ஹைட்ரஜனால் SiC இன் அரிப்பு விகிதம் TaC ஐ விட கணிசமாக அதிகமாக உள்ளது. உயர்-வெப்பநிலை அம்மோனியாவில் TaC இன் அரிப்பு விகிதம் SiC இன் 1/6 ஆகும், மேலும் ஹைட்ரஜனில் இது 1/10 ஆகக் கூட இருக்கலாம் என்று சோதனைத் தரவு காட்டுகிறது. எனவே, SiC epitaxy அல்லது GaN MOCVD க்கான நிலையான நிபந்தனைகள் பெரும்பாலும் SiC பூச்சுகளைப் பயன்படுத்துகின்றன, அதே சமயம் அதிக அரிப்பு அல்லது அதி-உயர் வெப்பநிலை காட்சிகள் TaC க்கு மாற வேண்டும்.

செயல்முறை வகை மற்றும் கூறு செயல்பாடு பொருத்தம்

• GaN MOCVD / Si epitaxy: உயர்-தூய்மை கிராஃபைட் + CVD SiC பூசப்பட்ட சஸ்செப்டர், ப்ரீஹீட் ரிங்

• SiC PVT படிக வளர்ச்சி: கிராஃபைட் ஹாட்-ஜோன் கூறுகளுக்கு TaC பூச்சுகளை கடுமையாகப் பரிந்துரைக்கவும்

• பிளாஸ்மா எச்சிங் (ஃபோகஸ் ரிங், முதலியன): துகள் தேவைகள் மற்றும் விலையைப் பொறுத்து திடமான SiC அல்லது SiC-பூசப்பட்ட கிராஃபைட் இரண்டும் சாத்தியமாகும்

• சேம்பர் முக்கியமான பாகங்கள் துகள்களுக்கு மிகவும் உணர்திறன்: பூச்சு இடைமுகம் இல்லாத Solid SiCக்கு முன்னுரிமை கொடுங்கள்

படம் 1 - VeTek முதன்மை தயாரிப்பு காட்சி பெட்டி

2. Aixtron/Veeco Graphite Susceptor இணக்கத்தன்மை மற்றும் தனிப்பயன் மாற்று தீர்வுகள்

முக்கிய முடிவு:ஆக்ஸ்ட்ரான் G10, Veeco K465i, ASM Epsilon போன்ற முக்கிய தளங்களை உள்ளடக்கிய வாடிக்கையாளர் வரைபடங்கள் அல்லது அசல் உதிரி பாகங்களின் அடிப்படையில் 1:1 தனிப்பயனாக்கலை VeTek ஆதரிக்கிறது. நிலையான தயாரிப்புகளை விரைவாக அனுப்பலாம்; தனிப்பயன் பாகங்கள் பொதுவாக 3-6 வாரங்கள் எடுக்கும்.

பெரும்பாலான பொறியாளர்கள் கவலைப்படுவது "அதை உருவாக்க முடியுமா" என்பது அல்ல, ஆனால் "அது அசல் பாகங்களைப் போலவே நிலையானதாக இருக்க முடியுமா, கட்டுப்படுத்தக்கூடிய முன்னணி நேரம் மற்றும் முழுமையான ஆய்வு அறிக்கைகள் கிடைக்குமா" என்பதுதான். VeTek இன் முக்கிய திறன்களில் ஒன்று, முக்கிய உபகரண பிராண்டுகளுடன் இணக்கமாக இருக்கும் போது வரைபடங்களின்படி முழு தனிப்பயனாக்கம் ஆகும்.

முக்கிய உபகரண இணக்கத்தன்மை விரைவான குறிப்பு

கீழே உள்ள அட்டவணையை உள் தொழில்நுட்ப மதிப்பாய்வு அல்லது கொள்முதல் மதிப்பீட்டிற்கு நேரடியாகப் பயன்படுத்தலாம்:

உண்மையான திட்டங்களில், வாடிக்கையாளர்களிடமிருந்து அசல் உதிரி பாகங்கள் அல்லது CMM வரைபடங்களைப் பெறுகிறோம். தொழில்நுட்பக் குழு, வெப்பப் புல பொருத்தம் மற்றும் பரிமாண சகிப்புத்தன்மையை உறுதிசெய்த பிறகு, அடி மூலக்கூறு தூய்மை, பூச்சு தடிமன் மற்றும் மேற்பரப்பு கடினத்தன்மை பற்றிய பரிந்துரைகளை வழங்கும், மேலும் வாடிக்கையாளர் கருவியில் சரிபார்ப்புக்கான மாதிரிகளை வழங்கும்.

3. CVD SiC பூச்சு தடிமன் சீரான தன்மை மற்றும் துகள் கட்டுப்பாடுக்கான முக்கிய அளவீடுகள்

முக்கிய முடிவு:தடிமன் சீரான தன்மை ± 5% க்குள் கட்டுப்படுத்தப்படுகிறது, கோட்பாட்டு மதிப்புக்கு நெருக்கமான அடர்த்தி மற்றும் கட்டுப்படுத்தக்கூடிய மேற்பரப்பு கடினத்தன்மை ஆகியவை தூள் உதிர்தல் மற்றும் துகள் மாசுபாட்டை அடக்குவதற்கான மையமாகும். GDMS/ICP-OES மூலம் முக்கியமான உலோக அசுத்தங்கள் கண்காணிக்கப்படும், தூய்மை இலக்கு 5 ppmக்குக் கீழே உள்ளது.

துகள் சிக்கல்கள் கிட்டத்தட்ட ஒவ்வொரு எபிடாக்ஸி பொறியாளரின் கனவு. பூச்சுக்கு உள்ளூர் மெல்லிய புள்ளிகள், துளைகள் அல்லது மைக்ரோ-கிராக்கள் இருந்தால், மீண்டும் மீண்டும் வெப்ப சுழற்சி மற்றும் அரிக்கும் வாயு தாக்குதலின் கீழ் தூள் சிந்தப்பட்டு, செதில் குறைபாடு அடர்த்தியை நேரடியாக உயர்த்தும்.

தடிமன் மற்றும் சீரான தன்மை

வழக்கமான CVD SiC பூச்சு தடிமன் 100-200 μm ஆகும். செயல்முறை அளவுரு மற்றும் ஓட்டம் புலக் கட்டுப்பாடு மூலம், VeTek தடிமன் சீரான தன்மையை ±5% க்குள் உறுதிப்படுத்துகிறது. 1000 க்கும் மேற்பட்ட வெப்ப அதிர்ச்சி சுழற்சிகளுக்குப் பிறகு (அறை வெப்பநிலை ↔ 1100°C), பூச்சு எந்த சிதைவையும் காட்டாது மற்றும் துகள் குறைபாடுகளின் கடுமையான GaN MOCVD தேவையை ≤0.1/cm² பூர்த்தி செய்ய முடியும்.

தூய்மை மற்றும் ஆய்வு

பூச்சு மற்றும் கூறுகளின் ஒட்டுமொத்த தூய்மை 5 ppm ஐ விட குறைவாக இருக்கலாம், சில தயாரிப்புகள் 99.99995% அடையும். எபிடாக்சியல் லேயர் டோப்பிங் அல்லது கேரியர் செறிவு ஆகியவற்றில் குறுக்கிடுவதைத் தவிர்த்து, Fe மற்றும் Ni போன்ற முக்கியமான அசுத்தங்கள் கட்டுப்படுத்தக்கூடிய அளவில் இருப்பதை உறுதிசெய்ய, உலோகப் பகுப்பாய்விற்கு ICP-OES மற்றும் GDMS ஆகியவற்றைப் பயன்படுத்துகிறோம்.

அடர்த்தி மற்றும் மேற்பரப்பு நிலை

CVD செயல்முறையால் உருவாக்கப்பட்ட β-SiC பாலிகிரிஸ்டலின் அடுக்கு, மிகக் குறைந்த போரோசிட்டியுடன் கோட்பாட்டு மதிப்புக்கு (தோராயமாக. 3.21 g/cm³) அடர்த்தியைக் கொண்டுள்ளது. மேற்பரப்பு கடினத்தன்மையை (Ra) வாடிக்கையாளர் செயல்முறை தேவைகளுக்கு ஏற்ப சரிசெய்யலாம், இது ஒரு துகள் உருவாக்க ஆதாரமாக மாறுவதைத் தவிர்க்கும் அதே வேளையில் போதுமான மெக்கானிக்கல் இன்டர்லாக் செய்வதை உறுதி செய்கிறது.

படம் 2 – CVD SiC பூச்சுக்கான GDMS ஆய்வு அறிக்கை

4. வழக்கு ஆய்வு: பூச்சு விளைச்சலை 50% முதல் 90% வரை மேம்படுத்த விளிம்பு மஞ்சள் நிறத்தைத் தீர்ப்பது

முக்கிய முடிவு:நுண்ணிய அழுத்தத்தை அகற்ற ஆரம்ப படிவு விகிதம் மற்றும் ஓட்டப் புலத்தை துல்லியமாக கட்டுப்படுத்துவதன் மூலம், VeTek ஒரு வாடிக்கையாளரின் MOCVD கிராஃபைட் சஸ்செப்டரின் பூச்சு விளைச்சலை சுமார் 50% முதல் 90% வரை மேம்படுத்தியது, மேலும் சேவை வாழ்க்கையை கணிசமாக நீட்டித்தது.

இது தயாரிப்பு வரிசையில் நடந்த உண்மைக் கதை. வாடிக்கையாளர் சில கிராஃபைட் சஸ்செப்டர்களில் விளிம்பு மஞ்சள் மற்றும் தோலுரிக்கும் போக்கைப் புகாரளித்தார், இதனால் தொகுப்பின் ஒட்டுமொத்த பூச்சு மகசூல் நீண்ட காலத்திற்கு 50% ஆக உள்ளது, அதிக வரி பராமரிப்பு செலவுகள் மற்றும் செதில் அபாயத்துடன்.

டாக்டர். சியாவோ தலைமையிலான தொழில்நுட்பக் குழு தலையிட்ட பிறகு, இரண்டு திசைகளில் கவனம் செலுத்தப்பட்டது: முதலில், ஆரம்ப கட்டத்தில் படிவு விகிதம் மிக வேகமாக இருந்தது, பூச்சு உள்ள உள் அழுத்த குவிப்பு ஏற்படுகிறது; இரண்டாவதாக, விளிம்பு மற்றும் மையப் பகுதிகளுக்கிடையேயான ஓட்டப் புல வேறுபாடுகள் உள்ளூர் அதிக தடிமன் அல்லது தடிமன் குறைவதற்கு வழிவகுத்தது. MTS/H₂ விகிதத்தை மேம்படுத்துவதன் மூலம், படிவு வெப்பநிலை சுயவிவரம் மற்றும் ஃபிக்ஸ்ச்சர் ஃப்ளோ ஃபீல்ட் டிசைன், மைக்ரோ-ஸ்ட்ரெஸ் திறம்பட வெளியிடப்பட்டது. இறுதியில், அந்தத் தொகுப்பின் பூச்சு விளைச்சல் மற்றும் அடுத்தடுத்த உற்பத்தி 90%க்கு மேல் நிலைப்படுத்தப்பட்டது, வாடிக்கையாளரின் மாற்று சுழற்சி தெளிவாக நீட்டிக்கப்பட்டது, மேலும் துகள் புகார்கள் கணிசமாகக் குறைந்தன.

இந்த வழக்கு நிரூபிக்கிறது: "கோட் செய்ய முடியும்" என்பது ஆரம்ப புள்ளி மட்டுமே; "நிலையான பூச்சு, நீண்ட காலம் நீடிக்கும் மற்றும் துகள்களைக் கட்டுப்படுத்துதல்" என்பது பொறியாளர்கள் அக்கறை கொண்ட உண்மையான மதிப்பு. எந்த விளம்பரத்தையும் விட தரவு சத்தமாக பேசுகிறது.

படம் 3 - சீரான மேற்பரப்பு நிறம் மற்றும் குறைபாடுகள் இல்லாத உயர்-தூய்மை CVD சிலிக்கான் கார்பைடு பூசப்பட்ட கிராஃபைட் சஸ்பெப்டர்

5. திட SiC மற்றும் பூசப்பட்ட கிராஃபைட் பாகங்கள் மற்றும் பொருந்தக்கூடிய காட்சிகளுக்கு இடையே உள்ள வேறுபாடுகள்

முக்கிய முடிவு:பூசப்பட்ட கிராஃபைட் பாகங்கள் குறைந்த விலை மற்றும் வேகமான வெப்பப் பிரதிபலிப்பைக் கொண்டுள்ளன, பெரும்பாலான எபிடாக்ஸி சஸ்செப்டர்களுக்கு ஏற்றது; சாலிட் SiC க்கு இடைமுக ஆபத்து மற்றும் வலுவான பிளாஸ்மா எதிர்ப்பு இல்லை, அதிக தேவை பொறித்தல் கூறுகள் மற்றும் தீவிர நீண்ட வாழ்நாள் காட்சிகளுக்கு ஏற்றது.

பல தேர்வுக் கூட்டங்கள் போராடுகின்றன: நாம் பூசப்பட்ட கிராஃபைட்டைப் பயன்படுத்த வேண்டுமா அல்லது நேரடியாக Solid SiCக்கு செல்ல வேண்டுமா? இரண்டும் வெறுமனே "எது சிறந்தது" என்பது பற்றியது அல்ல, ஆனால் பயன்பாட்டு சூழ்நிலை மற்றும் மொத்த உரிமைச் செலவு (TCO) ஆகியவற்றுக்கு இடையேயான வர்த்தகம்.

பூசப்பட்ட கிராஃபைட் பாகங்களின் நன்மைகள்:உயர் அடி மூலக்கூறு வெப்ப கடத்துத்திறன், வேகமான வெப்பம், கட்டுப்படுத்தக்கூடிய செலவு; பூச்சு இரசாயன தடை மற்றும் துகள் அடக்குமுறையை வழங்குகிறது. அதிக வெப்ப சீரான தன்மை தேவைப்படும் பெரிய அளவிலான GaN/SiC எபிடாக்ஸி சஸ்செப்டர்களுக்கு ஏற்றது.

திட SiC இன் நன்மைகள்:பூச்சு-அடி மூலக்கூறு இடைமுகம் இல்லாத மோனோலிதிக் β-SiC, டிலாமினேஷன் ஆபத்து இல்லை; தூய்மையானது 5N–7N ஐ அடையலாம், பிளாஸ்மா அரிப்புக்கு சிறந்த எதிர்ப்பு, ஃபோகஸ் ரிங்க்ஸ் மற்றும் ஷவர்ஹெட்ஸ் போன்ற முக்கியமான பொறிப்பு பகுதிகளுக்கு ஏற்றது, வாழ்நாள் 2000+ மணிநேரம் வரை இருக்கும்.

6. கூறு முழு வாழ்க்கை சுழற்சி மேலாண்மை மற்றும் சுத்தம் & மீளுருவாக்கம் மதிப்பு

முக்கிய முடிவு:நிறுவல் கண்காணிப்பு மற்றும் ஒழுங்கின்மை எச்சரிக்கை முதல் தொழில்முறை சுத்தம் மற்றும் மீளுருவாக்கம் வரை, ஒரு மூடிய-லூப் நிர்வாகத்தை உருவாக்குவது TCO ஐ கணிசமாகக் குறைக்கலாம் மற்றும் புதிய பகுதி கொள்முதல் அதிர்வெண்ணைக் குறைக்கலாம். VeTek Aixtron/Veeco மற்றும் பிற உபகரணங்களுக்கு பிரத்யேக துப்புரவு சேவைகளை வழங்குகிறது.

பல தொழிற்சாலைகள் பூசப்பட்ட பாகங்களை "பயன்படுத்தவும் மற்றும் நிராகரிக்கவும்" நுகர்பொருட்களாக கருதுகின்றன. உண்மையில், தொழில்முறை சுத்தம் மற்றும் மீளுருவாக்கம் செய்த பிறகு, கணிசமான பகுதிகளை துகள் அளவுகள் மற்றும் புதிய பகுதிகளுக்கு நெருக்கமான வெப்ப செயல்திறன் மீட்டமைக்க முடியும்.

ஒரு எளிய வாழ்க்கை சுழற்சி பதிவை நிறுவ பரிந்துரைக்கப்படுகிறது: பதிவு நிறுவல் நேரம், ஒட்டுமொத்த இயக்க நேரம், ஒவ்வொரு சுத்தம் செய்தபின் மேற்பரப்பு நிலை மற்றும் துகள் சோதனை முடிவுகள். பூச்சு வெளிப்படையான மஞ்சள், உள்ளூர் சிதைவு அல்லது தொடர்ச்சியான துகள் மீறல் ஆகியவற்றைக் காட்டினால் மட்டுமே, உணர்வின் அடிப்படையில் முன்கூட்டியே ஸ்கிராப்பிங் செய்யாமல், மாற்று முடிவைத் தூண்ட வேண்டும்.

படம் 4 - CVD SiC பூச்சு கிராஃபைட் பாகங்கள் சுத்தம் செய்யும் சேவை

7. சப்ளையர் மதிப்பீட்டு புள்ளிகள் மற்றும் VeTek சேவை திறன்கள்

முக்கிய முடிவு:ISO9001 அமைப்பு, முழுமையான ஆய்வு அறிக்கைகள் (GDMS/ICP-OES), மாதிரி ஆதரவு, முன்னணி நேர நம்பகத்தன்மை மற்றும் ஆங்கில தொழில்நுட்ப தொடர்பு திறன் ஆகியவற்றில் கவனம் செலுத்துங்கள். VeTek 24/7 ஆதரவு மற்றும் வெளிநாட்டு வாடிக்கையாளர் சேவை அனுபவத்தைக் கொண்டுள்ளது.

கடுமையான சப்ளையர் தகுதித் தேவைகளைக் கொண்ட சர்வதேச வாடிக்கையாளர்கள் அல்லது தொழிற்சாலைகளுக்கு, பின்வரும் புள்ளிகள் குறிப்பாக முக்கியமானவை:

• தர அமைப்பு: ISO9001, செயல்முறை கட்டுப்படுத்தப்பட்டது மற்றும் கண்டறியக்கூடியது.

• ஆய்வு திறன்: பூச்சு மற்றும் அடி மூலக்கூறுக்கான முழுமையான பொருள் பகுப்பாய்வு அறிக்கைகளை வழங்கவும்.

• மாதிரிகள் மற்றும் முன்னணி நேரம்: மாதிரி மதிப்பீடு ஆதரவு; நிலையான தயாரிப்புகள் விரைவாக அனுப்பப்படுகின்றன, தனிப்பயன் பாகங்கள் பொதுவாக 3-6 வாரங்கள், அவசர ஆர்டர்களை பேச்சுவார்த்தையின் மூலம் விரைவுபடுத்தலாம்.

• தொழில்நுட்ப தொடர்பு: விற்பனை மற்றும் பொறியியல் குழுக்கள் இருவரும் ஆங்கிலத்தில் சரளமாக தொடர்பு கொள்ளலாம், வெளிநாட்டு வாடிக்கையாளர்களுக்கு தகவல் தொடர்பு செலவைக் குறைக்கலாம்.

• விற்பனைக்குப் பிந்தைய பதில்: பூச்சு அல்லது கூறுகள் முரண்பாடுகளைக் காட்டும்போது தொழில்நுட்ப ஆதரவு மற்றும் தோல்வி பகுப்பாய்வு உதவியை வழங்கவும்.

படம் 5 - VeTek தயாரிப்பு ஆர்டர் முழு செயல்முறை

8. அடிக்கடி கேட்கப்படும் கேள்விகள்

(1) வரைபடங்களின் அடிப்படையில் தயாரிப்பு முழு தனிப்பயனாக்கலை ஆதரிக்கிறதா? எந்த முக்கிய உபகரணங்களை பொருத்த முடியும்?

ஆம். Aixtron G10, Veeco, ASM, AMEC, TEL போன்ற இயங்குதளங்களுடன் இணக்கமான சஸ்பெக்டர், ப்ரீஹீட் ரிங், டைவர்ஷன் ரிங், ஹாஃப்மூன், ஃபோகஸ் ரிங் போன்றவற்றைத் தனிப்பயனாக்கலாம்.

(2) தூய்மை எப்படி உத்தரவாதம்? உலோக அசுத்தங்கள் எந்த அளவில் கட்டுப்படுத்தப்படுகின்றன?

பூச்சு மற்றும் கூறுகளின் தூய்மை 5 ppm ஐ விட குறைவாக இருக்கலாம், சில 99.99995% அடையும். ICP-OES, GDMS மற்றும் பிற உபகரணங்கள் சுவடு பகுப்பாய்விற்குப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன, முழுமையான அறிக்கைகள் வழங்கப்படுகின்றன.

(3) CVD SiC/TaC பூச்சுகளின் தடிமன் சீரான தன்மை மற்றும் சேவை வாழ்க்கை பற்றி என்ன?

தடிமன் சீரான தன்மை பொதுவாக ± 5%, தடிமன் 100-200 μm க்குள் கட்டுப்படுத்தப்படுகிறது. பொருத்தமான செயல்முறை சாளரங்களின் கீழ், GaN MOCVD சஸ்பெப்டர் ஆயுட்காலம் 500-1000 மணிநேர வரம்பை அடையலாம்; அதி-உயர்-வெப்பநிலைக் காட்சிகள் TaC அல்லது Solid SiCக்கு மாற வேண்டும்.

(4) மாதிரி சோதனை ஆதரிக்கப்படுகிறதா? மொத்த ஆர்டர்களுக்கான வழக்கமான முன்னணி நேரம் என்ன?

மாதிரி மதிப்பீடு ஆதரிக்கப்படுகிறது. நிலையான தயாரிப்புகளை விரைவாக அனுப்ப முடியும்; வடிவமைப்பின் சிக்கலான தன்மை மற்றும் அளவைப் பொறுத்து தனிப்பயன் பாகங்கள் பொதுவாக 3-6 வாரங்கள் ஆகும். அவசர உத்தரவுகளை பேச்சுவார்த்தை மூலம் விரைவுபடுத்தலாம்.

(5) என்ன தர அமைப்பு சான்றிதழ்கள் உள்ளன? ஆய்வு அறிக்கைகள் மற்றும் விற்பனைக்குப் பிந்தைய ஆதரவை வழங்க முடியுமா?

ISO9001 தர மேலாண்மை அமைப்பு உள்ளது. 24/7 ஆன்லைன் தொழில்நுட்ப ஆதரவுடன் பொருள் மற்றும் பூச்சு பகுப்பாய்வு அறிக்கைகள் வழங்கப்படலாம். வெளிநாட்டு வாடிக்கையாளர்களுக்கான ஆங்கில தொடர்பு தடையற்றது.

9. சுருக்கம் மற்றும் அடுத்த படிகள்

தேர்வு என்பது "மிக விலை உயர்ந்ததைத் தேர்ந்தெடுப்பது" அல்லது "தடிமனானதைத் தேர்ந்தெடுப்பது", ஆனால் "உங்கள் உபகரணங்கள், செயல்முறை சாளரம் மற்றும் துகள் பட்ஜெட் ஆகியவற்றின் கீழ் செயல்திறன் மற்றும் செலவு ஆகியவற்றின் சிறந்த சமநிலையுடன் தீர்வைக் கண்டறிவது" பற்றியது. இந்த கையேடு விரைவாக முடிவெடுக்கும் கட்டமைப்பை உருவாக்க உதவும் என்று நம்புகிறோம்: முதலில் வெப்பநிலை மற்றும் வளிமண்டலத்தைப் பார்த்து, பின்னர் பூச்சு அல்லது திட SiC ஐப் பொருத்தவும், இறுதியாக வாழ்நாள் மற்றும் துகள் செயல்திறனை தரவு மூலம் சரிபார்க்கவும்.

ஆக்ஸ்ட்ரான், Veeco அல்லது பிற இயங்குதளங்களில் susceptors, preheat rings அல்லது hot-zone கூறுகளுக்கான மாற்று தீர்வுகளை நீங்கள் மதிப்பிடுகிறீர்கள் என்றால், VeTek தொழில்நுட்பக் குழுவை நேரடியாகத் தொடர்புகொள்ள உங்களை வரவேற்கிறோம். உங்கள் வரைபடங்கள் அல்லது ஏற்கனவே உள்ள உதிரி பாகங்களின் அடிப்படையில் தனிப்பயனாக்குதல் பரிந்துரைகள், மாதிரி ஆதரவு மற்றும் முழுமையான ஆய்வு அறிக்கைகளை நாங்கள் வழங்க முடியும். Dr. Xiao மற்றும் பொறியியல் குழுவினர் எந்த நேரத்திலும் உங்களுடன் வெப்பப் புல மேம்படுத்தல் அல்லது சிறப்பு கட்டமைப்பு மேம்பாட்டுத் தேவைகளைப் பற்றி விவாதிக்கத் தயாராக உள்ளனர்.

தயாரிப்பு விவரங்கள் மற்றும் மேலும் தொழில்நுட்ப தகவல்களுக்கு, தயவுசெய்துஎங்களை தொடர்பு கொள்ளவும்.

முக்கிய குறிப்புகள் மற்றும் தரவு ஆதாரங்கள்

1. VeTek செமிகண்டக்டர் இன்டர்னல் இன்ஜினியரிங் தரவு — GaN MOCVD செயல்முறையின் கீழ் 500-1000 மணிநேரம் SiC-கோடட் கிராஃபைட் சஸ்பெப்டர் வாழ்நாள், விளிம்பு மஞ்சள் நிறத்தைத் தீர்த்த பிறகு பூச்சு மகசூல் 50% முதல் 90% வரை மேம்பட்டது, மற்றும் பிற நடைமுறை நிகழ்வுகள் [1].

2. T/CASME 2000-2025 செமிகண்டக்டர் எபிடாக்ஸிக்கான சிலிக்கான் கார்பைடு கோடட் கிராஃபைட் சஸ்செப்டர்களுக்கான தொழில்நுட்ப விவரக்குறிப்பு — உயர்-தூய்மை ஐசோஸ்டேடிக் கிராஃபைட் செமிகண்டக்ட் பொருட்கள், அப்ளிகேஷனல் செமிகண்டக்ட் தயாரிப்புகளில் CVD செயல்முறையால் தயாரிக்கப்பட்ட SiC-கோடட் கிராஃபைட் சஸ்பெப்டர்களுக்கான தொழில்நுட்பத் தேவைகளைக் குறிப்பிடுகிறது.

3. T/CASME 2085-2025 சிலிக்கான் கார்பைடு கிரிஸ்டல் வளர்ச்சிக்கான டான்டலம் கார்பைடு பூசப்பட்ட தயாரிப்புகளுக்கான தொழில்நுட்ப விவரக்குறிப்பு — SiC படிக வளர்ச்சியில் TaC-பூசப்பட்ட கிராஃபைட் தயாரிப்புகளுக்கான தொழில்நுட்ப விவரக்குறிப்பு.

4. நகாமுரா மற்றும் பலர்., "கிராஃபைட் அடி மூலக்கூறுகளில் சின்டெர்டு டான்டலம் கார்பைடு பூச்சுகள்: மொத்த மற்றும் எபிடாக்சியல் வளர்ச்சிக்கான மிகவும் நம்பகமான பாதுகாப்பு பூச்சுகள்," அப்ளைடு பிசிக்ஸ் லெட்டர்ஸ், தொகுதி. 106.

5. வாங் மற்றும் பலர்., "SiC இன் வளர்ச்சியில் கார்பனைஸ்டு பஃபர் லேயரின் விளைவுகள்," ஜர்னல் ஆஃப் கிரிஸ்டல் க்ரோத், தொகுதி. 199, பக். 564–567, 1999. — ஸ்கோபஸ் மற்றும் வெப் ஆஃப் சயின்ஸ் ஆகியவற்றால் குறியிடப்பட்ட SiC CVD வளர்ச்சி செயல்முறையில் இடையக அடுக்கு விளைவுகள் மற்றும் மேற்பரப்பு உருவவியல் கட்டுப்பாடு பற்றி விவாதிக்கிறது.

குறிப்பு: உரையில் வாழ்நாள் மற்றும் செயல்திறன் தரவு வழக்கமான குறிப்பு மதிப்புகள். குறிப்பிட்ட செயல்முறை நிலைமைகள், உபகரணங்களின் நிலை மற்றும் பராமரிப்பு நிலை ஆகியவற்றால் உண்மையான செயல்திறன் பாதிக்கப்படுகிறது. உண்மையான அளவீடுகளுடன் சரிபார்க்கவும்.

ஆசிரியர்:VeTek செமிகண்டக்டர் டெக்னிக்கல் இன்ஜினியரிங் டீம் (டாக்டர். சியாவோவின் வழிகாட்டுதலின் கீழ் முடிக்கப்பட்டது)

மேலும் தொழில்நுட்ப விவாதம் அல்லது மாதிரி மதிப்பீட்டிற்கு, அதிகாரப்பூர்வ இணையதளம் வழியாக எங்களை தொடர்பு கொள்ளவும்.