தொழில் செய்திகள்

CVD TAC பூச்சு என்பது ஒரு அடி மூலக்கூறில் (கிராஃபைட்) அடர்த்தியான மற்றும் நீடித்த பூச்சுகளை உருவாக்குவதற்கான ஒரு செயல்முறையாகும். இந்த முறையானது உயர் வெப்பநிலையில் அடி மூலக்கூறு மேற்பரப்பில் TaC ஐ வைப்பதை உள்ளடக்குகிறது, இதன் விளைவாக சிறந்த வெப்ப நிலைப்புத்தன்மை மற்றும் இரசாயன எதிர்ப்புடன் டான்டலம் கார்பைடு (TaC) பூச்சு உருவாகிறது.

8 அங்குல சிலிக்கான் கார்பைடு (sic) செயல்முறை முதிர்ச்சியடையும் போது, ​​உற்பத்தியாளர்கள் 6 அங்குலத்திலிருந்து 8 அங்குலத்திற்கு மாற்றத்தை துரிதப்படுத்துகிறார்கள். சமீபத்தில், குறைக்கடத்தி மற்றும் ரெசோனாக் 8 அங்குல எஸ்.ஐ.சி உற்பத்தி குறித்த புதுப்பிப்புகளை அறிவித்தது.

இந்தக் கட்டுரை இத்தாலிய நிறுவனமான LPEயின் புதிதாக வடிவமைக்கப்பட்ட PE1O8 ஹாட்-வால் CVD அணுஉலையின் சமீபத்திய மேம்பாடுகள் மற்றும் 200mm SiC இல் சீரான 4H-SiC எபிடாக்ஸியைச் செய்யும் திறன் ஆகியவற்றை அறிமுகப்படுத்துகிறது.

பவர் எலக்ட்ரானிக்ஸ், ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக்ஸ் மற்றும் பிற துறைகளில் SiC பொருட்களுக்கான தேவை அதிகரித்து வருவதால், SiC ஒற்றை படிக வளர்ச்சி தொழில்நுட்பத்தின் வளர்ச்சி அறிவியல் மற்றும் தொழில்நுட்ப கண்டுபிடிப்புகளின் முக்கிய பகுதியாக மாறும். SiC ஒற்றை படிக வளர்ச்சி உபகரணங்களின் மையமாக, வெப்ப புல வடிவமைப்பு தொடர்ந்து விரிவான கவனத்தையும் ஆழமான ஆராய்ச்சியையும் பெறும்.

தொடர்ச்சியான தொழில்நுட்ப முன்னேற்றம் மற்றும் ஆழமான பொறிமுறை ஆராய்ச்சி மூலம், 3C-SIC ஹீட்டோரோபிடாக்சியல் தொழில்நுட்பம் குறைக்கடத்தி தொழிலில் மிக முக்கிய பங்கு வகிக்கும் மற்றும் உயர் திறன் கொண்ட மின்னணு சாதனங்களின் வளர்ச்சியை ஊக்குவிக்கும் என்று எதிர்பார்க்கப்படுகிறது.

இடஞ்சார்ந்த ALD, இடஞ்சார்ந்த தனிமைப்படுத்தப்பட்ட அணு அடுக்கு படிவு. செதில் வெவ்வேறு நிலைகளுக்கு இடையில் நகர்கிறது மற்றும் ஒவ்வொரு நிலையிலும் வெவ்வேறு முன்னோடிகளுக்கு வெளிப்படும். கீழே உள்ள படம் பாரம்பரிய ALD மற்றும் இடஞ்சார்ந்த தனிமைப்படுத்தப்பட்ட ALD ஆகியவற்றுக்கு இடையேயான ஒப்பீடு ஆகும்.