தொழில் செய்திகள்

குறைக்கடத்தி உற்பத்தித் துறையில், சாதன அளவு தொடர்ந்து சுருங்கி வருவதால், மெல்லிய திரைப்படப் பொருட்களின் படிவு தொழில்நுட்பம் முன்னோடியில்லாத சவால்களை ஏற்படுத்தியுள்ளது. அணு மட்டத்தில் துல்லியமான கட்டுப்பாட்டை அடையக்கூடிய மெல்லிய திரைப்பட படிவு தொழில்நுட்பமாக அணு அடுக்கு படிவு (ALD), குறைக்கடத்தி உற்பத்தியின் இன்றியமையாத பகுதியாக மாறியுள்ளது. மேம்பட்ட சிப் உற்பத்தியில் அதன் முக்கிய பங்கைப் புரிந்துகொள்ள உதவும் வகையில் ALD இன் செயல்முறை ஓட்டம் மற்றும் கொள்கைகளை அறிமுகப்படுத்துவதை இந்த கட்டுரை நோக்கமாகக் கொண்டுள்ளது.

ஒரு சரியான படிக அடிப்படை அடுக்கில் ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகள் அல்லது குறைக்கடத்தி சாதனங்களை உருவாக்குவது சிறந்தது. குறைக்கடத்தி உற்பத்தியில் உள்ள எபிடாக்ஸி (ஈபிஐ) செயல்முறை ஒற்றை-படிக அடி மூலக்கூறில் பொதுவாக 0.5 முதல் 20 மைக்ரான் வரை ஒரு சிறந்த ஒற்றை-படிக அடுக்கை டெபாசிட் செய்வதை நோக்கமாகக் கொண்டுள்ளது. குறைக்கடத்தி சாதனங்கள் தயாரிப்பதில் எபிடாக்ஸி செயல்முறை ஒரு முக்கியமான படியாகும், குறிப்பாக சிலிக்கான் வேஃபர் உற்பத்தியில்.

எபிடாக்ஸி மற்றும் அணு அடுக்கு படிவு (ALD) ஆகியவற்றுக்கு இடையிலான முக்கிய வேறுபாடு அவற்றின் திரைப்பட வளர்ச்சி வழிமுறைகள் மற்றும் இயக்க நிலைமைகளில் உள்ளது. எபிடாக்ஸி என்பது ஒரு குறிப்பிட்ட நோக்குநிலை உறவைக் கொண்ட படிக அடி மூலக்கூறில் ஒரு படிக மெல்லிய திரைப்படத்தை வளர்க்கும் செயல்முறையை குறிக்கிறது, அதே அல்லது ஒத்த படிக கட்டமைப்பைப் பராமரிக்கிறது. இதற்கு நேர்மாறாக, ALD என்பது ஒரு படிவு நுட்பமாகும், இது வெவ்வேறு வேதியியல் முன்னோடிகளுக்கு ஒரு அடி மூலக்கூறை வெளிப்படுத்துவதை உள்ளடக்கியது, இது ஒரு நேரத்தில் ஒரு மெல்லிய திரைப்படத்தை உருவாக்கும்.

CVD TAC பூச்சு என்பது ஒரு அடி மூலக்கூறில் (கிராஃபைட்) அடர்த்தியான மற்றும் நீடித்த பூச்சுகளை உருவாக்குவதற்கான ஒரு செயல்முறையாகும். இந்த முறையானது உயர் வெப்பநிலையில் அடி மூலக்கூறு மேற்பரப்பில் TaC ஐ வைப்பதை உள்ளடக்குகிறது, இதன் விளைவாக சிறந்த வெப்ப நிலைப்புத்தன்மை மற்றும் இரசாயன எதிர்ப்புடன் டான்டலம் கார்பைடு (TaC) பூச்சு உருவாகிறது.

8 அங்குல சிலிக்கான் கார்பைடு (sic) செயல்முறை முதிர்ச்சியடையும் போது, ​​உற்பத்தியாளர்கள் 6 அங்குலத்திலிருந்து 8 அங்குலத்திற்கு மாற்றத்தை துரிதப்படுத்துகிறார்கள். சமீபத்தில், குறைக்கடத்தி மற்றும் ரெசோனாக் 8 அங்குல எஸ்.ஐ.சி உற்பத்தி குறித்த புதுப்பிப்புகளை அறிவித்தது.

இந்தக் கட்டுரை இத்தாலிய நிறுவனமான LPEயின் புதிதாக வடிவமைக்கப்பட்ட PE1O8 ஹாட்-வால் CVD அணுஉலையின் சமீபத்திய மேம்பாடுகள் மற்றும் 200mm SiC இல் சீரான 4H-SiC எபிடாக்ஸியைச் செய்யும் திறன் ஆகியவற்றை அறிமுகப்படுத்துகிறது.