செய்தி

விரைவான தொழில்நுட்ப வளர்ச்சியின் சகாப்தத்தில், மேம்பட்ட உற்பத்தி தொழில்நுட்பத்தின் முக்கிய பிரதிநிதியாக 3D அச்சிடுதல், பாரம்பரிய உற்பத்தியின் முகத்தை படிப்படியாக மாற்றுகிறது. தொழில்நுட்பத்தின் தொடர்ச்சியான முதிர்ச்சி மற்றும் செலவுகளைக் குறைப்பதன் மூலம், 3D அச்சிடும் தொழில்நுட்பமானது விண்வெளி, வாகன உற்பத்தி, மருத்துவ உபகரணங்கள் மற்றும் கட்டடக்கலை வடிவமைப்பு போன்ற பல துறைகளில் பரந்த பயன்பாட்டு வாய்ப்புகளைக் காட்டியுள்ளது, மேலும் இந்தத் தொழில்களின் கண்டுபிடிப்பு மற்றும் வளர்ச்சியை ஊக்குவித்துள்ளது.

பல்வேறு குறைக்கடத்தி சாதனங்களின் வளர்ந்து வரும் உற்பத்தியின் தேவைகளை ஒற்றை படிகப் பொருட்கள் மட்டும் பூர்த்தி செய்ய முடியாது. 1959 ஆம் ஆண்டின் இறுதியில், ஒற்றை படிக பொருள் வளர்ச்சி தொழில்நுட்பத்தின் மெல்லிய அடுக்கு - எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி உருவாக்கப்பட்டது.

உயர் வெப்பநிலை, உயர் அதிர்வெண், உயர் சக்தி மற்றும் உயர் மின்னழுத்த சாதனங்களை உருவாக்குவதற்கான சிறந்த பொருட்களில் சிலிக்கான் கார்பைடு ஒன்றாகும். உற்பத்தி செயல்திறனை மேம்படுத்துவதற்கும் செலவுகளைக் குறைப்பதற்கும், பெரிய அளவிலான சிலிக்கான் கார்பைடு அடி மூலக்கூறுகளைத் தயாரிப்பது ஒரு முக்கியமான வளர்ச்சி திசையாகும்.

வெளிநாட்டுச் செய்திகளின்படி, ஜூன் 24 அன்று பைட் டான்ஸ், அமெரிக்க சிப் வடிவமைப்பு நிறுவனமான பிராட்காமுடன் இணைந்து மேம்பட்ட செயற்கை நுண்ணறிவு (AI) கம்ப்யூட்டிங் செயலியை உருவாக்கி வருவதாக இரு ஆதாரங்கள் தெரிவித்தன, இது சீனாவிற்கு இடையே உள்ள பதட்டங்களுக்கு மத்தியில் பைட் டான்ஸ் போதுமான அளவு உயர்தர சில்லுகளை வழங்க உதவுகிறது. மற்றும் அமெரிக்கா.

SiC துறையில் முன்னணி உற்பத்தியாளராக, Sanan Optoelectronics' தொடர்பான இயக்கவியல் தொழில்துறையில் பரவலான கவனத்தைப் பெற்றுள்ளது. சமீபத்தில், சனான் ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக்ஸ், 8 அங்குல மாற்றம், புதிய அடி மூலக்கூறு தொழிற்சாலை உற்பத்தி, புதிய நிறுவனங்களை நிறுவுதல், அரசு மானியங்கள் மற்றும் பிற அம்சங்களை உள்ளடக்கிய சமீபத்திய முன்னேற்றங்களின் வரிசையை வெளிப்படுத்தியது.

உடல் நீராவி போக்குவரத்து (பிரைவேட்) முறையைப் பயன்படுத்தி எஸ்.ஐ.சி மற்றும் ஏ.எல்.என் ஒற்றை படிகங்களின் வளர்ச்சியில், சிலுவை, விதை வைத்திருப்பவர் மற்றும் வழிகாட்டி வளையம் போன்ற முக்கியமான கூறுகள் முக்கிய பங்கு வகிக்கின்றன. படம் 2 [1] இல் சித்தரிக்கப்பட்டுள்ளபடி, பி.வி.டி செயல்பாட்டின் போது, ​​விதை படிகமானது குறைந்த வெப்பநிலை பகுதியில் நிலைநிறுத்தப்படுகிறது, அதே நேரத்தில் எஸ்.ஐ.சி மூலப்பொருள் அதிக வெப்பநிலைக்கு (2400 tove க்கு மேல்) வெளிப்படும்.