4H N- வகை SIC அடி மூலக்கூறு

இது குறைக்கடத்தி4H N-வகை SiC அடி மூலக்கூறுதயாரிப்புகள் சிறந்த மின், வெப்ப மற்றும் இயந்திர பண்புகளைக் கொண்டுள்ளன, எனவே இந்த தயாரிப்பு அதிக சக்தி, அதிக அதிர்வெண், அதிக வெப்பநிலை மற்றும் அதிக நம்பகத்தன்மை தேவைப்படும் குறைக்கடத்தி சாதனங்களின் செயலாக்கத்தில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது.

4H N-வகை SiC இன் முறிவு மின்சார புல வலிமை 2.2-3.0 MV/cm வரை அதிகமாக உள்ளது. இந்த தயாரிப்பு அம்சம் அதிக மின்னழுத்தங்களைக் கையாள சிறிய சாதனங்களின் உற்பத்தியை அனுமதிக்கிறது, எனவே எங்கள் 4H N-வகை SiC அடி மூலக்கூறு பெரும்பாலும் MOSFETகள், Schottky மற்றும் JFET களை உற்பத்தி செய்ய பயன்படுத்தப்படுகிறது.

4H N- வகை SIC செதில் வெப்ப கடத்துத்திறன் சுமார் 4.9 W/CM · K ஆகும், இது வெப்பத்தை திறம்பட சிதறடிக்கவும், வெப்பக் குவிப்பைக் குறைக்கவும், சாதன ஆயுளை நீட்டிக்கவும் உதவுகிறது மற்றும் அதிக சக்தி அடர்த்தி பயன்பாடுகளுக்கு ஏற்றது.

மேலும், வெடெக் செமிகண்டக்டர் 4 எச் என்-வகை எஸ்.ஐ.சி வேஃபர் இன்னும் 600 ° C வரை வெப்பநிலையில் நிலையான மின்னணு செயல்திறனைக் கொண்டிருக்க முடியும், எனவே இது பெரும்பாலும் உயர் வெப்பநிலை சென்சார்களை தயாரிக்கப் பயன்படுகிறது மற்றும் தீவிர சூழல்களுக்கு மிகவும் பொருத்தமானது.

n-வகை சிலிக்கான் கார்பைடு அடி மூலக்கூறில் சிலிக்கான் கார்பைடு எபிடாக்சியல் லேயரை வளர்ப்பதன் மூலம், சிலிக்கான் கார்பைடு ஹோமோபிடாக்சியல் வேஃபர் மேலும் மின்சார வாகனங்கள், ரயில் போக்குவரத்து, உயர்மட்டத்தில் பயன்படுத்தப்படும் SBD, MOSFET, IGBT போன்ற சக்தி சாதனங்களாக உருவாக்கப்படலாம். - சக்தி பரிமாற்றம் மற்றும் மாற்றம் போன்றவை.

வாடிக்கையாளர் தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்ய வெடெக் குறைக்கடத்தி அதிக படிக தரம் மற்றும் செயலாக்க தரத்தைத் தொடர்கிறது. தற்போது, ​​6 அங்குல மற்றும் 8 அங்குல தயாரிப்புகள் இரண்டும் கிடைக்கின்றன. 6 அங்குல மற்றும் 8 அங்குல SIC அடி மூலக்கூறின் அடிப்படை தயாரிப்பு அளவுருக்கள் பின்வருமாறு:

6 lnch N-வகை SiC அடி மூலக்கூறு அடிப்படை தயாரிப்பு விவரக்குறிப்புகள்:

8 LNCH N- வகை SIC அடி மூலக்கூறு அடிப்படை தயாரிப்பு விவரக்குறிப்புகள்:

4H N-வகை SiC அடி மூலக்கூறு கண்டறிதல் முறை மற்றும் சொல்: