4H அரை இன்சுலேடிங் வகை SIC அடி மூலக்கூறு

SIC WAFER குறைக்கடத்தி செயலாக்க செயல்பாட்டில் பல முக்கிய பாத்திரங்களை வகிக்கிறது. அதன் உயர் எதிர்ப்பு, உயர் வெப்ப கடத்துத்திறன், பரந்த பேண்ட்கேப் மற்றும் பிற பண்புகளுடன் இணைந்து, இது உயர் அதிர்வெண், உயர் சக்தி மற்றும் உயர் வெப்பநிலை புலங்களில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது, குறிப்பாக மைக்ரோவேவ் மற்றும் ஆர்எஃப் பயன்பாடுகளில். இது குறைக்கடத்தி உற்பத்தி செயல்பாட்டில் இன்றியமையாத கூறு தயாரிப்பு ஆகும்.

முக்கிய நன்மை

1. சிறந்த மின் பண்புகள்

உயர் சிக்கலான முறிவு மின்சார புலம் (சுமார் 3 எம்.வி/செ.மீ): சிலிக்கானை விட சுமார் 10 மடங்கு அதிகமாக, அதிக மின்னழுத்தம் மற்றும் மெல்லிய சறுக்கல் அடுக்கு வடிவமைப்பை ஆதரிக்க முடியும், இது உயர் மின்னழுத்த மின் சாதனங்களுக்கு ஏற்றது.

அரை-இன்சுலேட்டிங் பண்புகள்: வெனடியம் ஊக்கமருந்து அல்லது உள்ளார்ந்த குறைபாடு இழப்பீடு மூலம் அதிக எதிர்ப்பு (> 10^5 Ω · செ.மீ), அதிக அதிர்வெண், குறைந்த இழப்பு ஆர்.எஃப் சாதனங்களுக்கு (ஹெம்ட்கள் போன்றவை) ஏற்றது, ஒட்டுண்ணி கொள்ளளவு விளைவுகளை குறைக்கிறது.

2. வெப்ப மற்றும் வேதியியல் நிலைத்தன்மை

அதிக வெப்ப கடத்துத்திறன் (4.9W /CM · K): சிறந்த வெப்பச் சிதறல் செயல்திறன், அதிக வெப்பநிலை வேலைகளை ஆதரிக்கிறது (கோட்பாட்டு வேலை வெப்பநிலை 200 ℃ அல்லது அதற்கு மேற்பட்டவற்றை அடையலாம்), கணினி வெப்ப சிதறல் தேவைகளை குறைக்கும்.

வேதியியல் செயலற்ற தன்மை: பெரும்பாலான அமிலங்கள் மற்றும் காரங்களுக்கு மந்தமானது, வலுவான அரிப்பு எதிர்ப்பு, கடுமையான சூழலுக்கு ஏற்றது.

3. பொருள் அமைப்பு மற்றும் படிக தரம்

4 எச் பாலிட்டிபிக் அமைப்பு: அறுகோண அமைப்பு அதிக எலக்ட்ரான் இயக்கம் (எ.கா., சுமார் 1140 செ.மீ²/வி · கள் நீளமான எலக்ட்ரான் இயக்கம்) வழங்குகிறது, இது மற்ற பாலிட்டிபிக் கட்டமைப்புகளை விட (எ.கா. 6 எச்-சிக்) உயர்ந்தது மற்றும் அதிக அதிர்வெண் சாதனங்களுக்கு ஏற்றது.

உயர் தரமான எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி: குறைந்த குறைபாடு அடர்த்தி பன்முகத்தன்மை கொண்ட எபிடாக்சியல் திரைப்படங்கள் (ALN/SI கலப்பு அடி மூலக்கூறுகளில் உள்ள எபிடாக்சியல் அடுக்குகள் போன்றவை) சி.வி.டி (வேதியியல் நீராவி படிவு) தொழில்நுட்பம் மூலம் அடைய முடியும், சாதன நம்பகத்தன்மையை மேம்படுத்துகிறது.

4. செயல்முறை பொருந்தக்கூடிய தன்மை

சிலிக்கான் செயல்முறையுடன் இணக்கமானது: வெப்ப ஆக்ஸிஜனேற்றம் மூலம் SIO₂ காப்பு அடுக்கு உருவாக்கப்படலாம், இது MOSFET போன்ற சிலிக்கான் அடிப்படையிலான செயல்முறை சாதனங்களை ஒருங்கிணைக்க எளிதானது.

ஓமிக் தொடர்பு உகப்பாக்கம்: மல்டி-லேயர் உலோகத்தின் பயன்பாடு (Ni/Ti/Pt போன்றவை) கலப்பு செயல்முறை, தொடர்பு எதிர்ப்பைக் குறைக்கவும் (Ni/Si/AL கட்டமைப்பு தொடர்பு எதிர்ப்பை 1.3 × 10^-4 · · cm) குறைக்கவும், சாதன செயல்திறனை மேம்படுத்தவும்.

5. பயன்பாட்டு காட்சிகள்

பவர் எலக்ட்ரானிக்ஸ்: உயர்-மின்னழுத்த ஸ்காட்கி டையோட்கள் (எஸ்.பி.டி), ஐ.ஜி.பி.டி தொகுதிகள் போன்றவற்றை தயாரிக்கப் பயன்படுகிறது, அதிக மாறுதல் அதிர்வெண்கள் மற்றும் குறைந்த இழப்பை ஆதரிக்கிறது.

ஆர்.எஃப் சாதனங்கள்: 5 ஜி தகவல்தொடர்பு அடிப்படை நிலையங்கள், ரேடார் மற்றும் ஆல்கன்/கன் ஹெம்ட் சாதனங்கள் போன்ற பிற உயர் அதிர்வெண் காட்சிகளுக்கு ஏற்றது.

வெடெக் குறைக்கடத்தி தொடர்ந்து அதிக படிக தரம் மற்றும் செயலாக்க தரத்தை வாடிக்கையாளர் தேவைகளைப் பூர்த்தி செய்கிறது.4 அங்குலமற்றும்6 அங்குலதயாரிப்புகள் கிடைக்கின்றன, மற்றும்8 அங்குலதயாரிப்புகள் வளர்ச்சியில் உள்ளன. 

அரை இன்சுலேடிங் எஸ்ஐசி அடி மூலக்கூறு அடிப்படை தயாரிப்பு விவரக்குறிப்புகள்:

அரை இன்சுலேடிங் எஸ்ஐசி அடி மூலக்கூறு படிக தர விவரக்குறிப்புகள்:

4H அரை இன்சுலேடிங் வகை SIC அடி மூலக்கூறு கண்டறிதல் முறை மற்றும் சொற்களஞ்சியம்: