செய்தி

SiC எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி செயல்பாட்டின் போது, ​​SiC பூசப்பட்ட கிராஃபைட் இடைநீக்க தோல்வி ஏற்படலாம். இந்த கட்டுரை SiC பூசப்பட்ட கிராஃபைட் இடைநீக்கத்தின் தோல்வி நிகழ்வின் கடுமையான பகுப்பாய்வை நடத்துகிறது, இதில் முக்கியமாக இரண்டு காரணிகள் அடங்கும்: SiC எபிடாக்சியல் வாயு தோல்வி மற்றும் SiC பூச்சு தோல்வி.

இந்தக் கட்டுரை முக்கியமாக மூலக்கூறு பீம் எபிடாக்ஸி செயல்முறை மற்றும் உலோக-கரிம இரசாயன நீராவி படிவு தொழில்நுட்பங்களின் தொடர்புடைய செயல்முறை நன்மைகள் மற்றும் வேறுபாடுகளைப் பற்றி விவாதிக்கிறது.

வெடெக் செமிகண்டக்டரின் நுண்ணிய டான்டலம் கார்பைடு, ஒரு புதிய தலைமுறை எஸ்.ஐ.சி படிக வளர்ச்சிப் பொருளாக, பல சிறந்த தயாரிப்பு பண்புகளைக் கொண்டுள்ளது மற்றும் பல்வேறு குறைக்கடத்தி செயலாக்க தொழில்நுட்பங்களில் முக்கிய பங்கு வகிக்கிறது.